[发明专利]基板的制作方法及半导体芯片的封装方法

权利要求书

1.一种基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上形成有籽晶层；

在所述籽晶层上形成第一绝缘掩膜层，所述第一绝缘掩膜层内形成有多个第一开口，所述第一开口露出籽晶层；

在所述第一开口内形成基板焊盘；

在所述基板焊盘和第一绝缘掩膜层上形成第二绝缘掩膜层，所述第二绝缘掩膜层内形成有多个第二开口，所述第二开口的位置与基板焊盘的位置对应；

进行电镀沉积工艺，在所述第二开口内形成导电凸块；

去除所述第一掩膜绝缘层和第二掩膜绝缘层；

去除未被所述基板焊盘覆盖的籽晶层；

形成覆盖所述基板焊盘、剩余的籽晶层的绝缘介质层，所述绝缘介质层与所述导电凸块齐平。

2.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，在形成所述导电凸块后，还包括：化学机械研磨步骤，使得所述导电凸块和基板的表面齐平。

3.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述籽晶层的材质为铜，所述导电凸块的材质为铜。

4.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘掩膜层和第二绝缘掩膜层的材质为光敏材质或高分子聚合物。

5.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述籽晶层利用溅射工艺、化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺形成。

6.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述所述第二开口的宽度小于等于所述第一开口的宽度。

7.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述去除未被所述基板焊盘覆盖的籽晶层的方法为湿法刻蚀的方法。

8.如权利要求7所述的基板的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的速率为0.6～2.0微米/分钟。

9.如权利要求7所述的基板的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的溶液为双氧水、硫酸和水的混合溶液，双氧水的浓度为10～30g/L，硫酸的浓度为25～75g/L。

10.如权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层利用丝网印刷工艺、旋涂、喷涂或贴附工艺制作。

11.如权利要求10所述的基板的制作方法，其特征在于，所述丝网印刷工艺包括：

粗化所述基板、基板焊盘、导电凸块；

在所述基板上丝网印刷绝缘介质层；

对所述绝缘介质层进行预烘烤；

预固化所述预烘烤后的绝缘介质层；

平坦化所述预固化后的绝缘介质层；

后固化平坦化后的绝缘介质层。

12.如权利要求11所述的基板的制作方法，其特征在于，所述平坦化的方法为化学机械研磨的方法。

13.一种半导体芯片的封装方法，其特征在于，包括：

提供基板和待封装芯片，所述芯片上形成有芯片焊垫；

在所述基板上形成籽晶层；

在所述籽晶层上形成第一绝缘掩膜层，所述第一绝缘掩膜层内形成有第一开口，所述第一开口露出下方的籽晶层，所述开口与所述芯片焊垫位置对应；

在所述第一开口形成基板焊盘；

在所述基板焊盘和第一绝缘掩膜层上形成第二绝缘掩膜层，所述第二绝缘掩膜层内形成有第二开口，所述第二开口与第一开口的位置对应；

进行电镀沉积工艺，在所述第二开口内形成导电凸块；

去除所述第一掩膜绝缘层和第二掩膜绝缘层；

去除未被所述基板焊盘覆盖的籽晶层；

形成覆盖所述基板焊盘、导电凸块、剩余的籽晶层的绝缘介质层；

利用金属焊料将所述芯片的基板焊盘与所述基板上的导电凸块焊接。

14.如权利要求13所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于，在形成所述导电凸块后，还包括：化学机械研磨步骤，使得所述导电凸块和基板的表面齐平。

15.如权利要求13所述的半导体芯片的封装方法，其特征在于，所述籽晶层的材质为铜，所述导电凸块的材质为铜。