[发明专利]显示装置的阵列基板

说明书

本申请是2006年7月20日提交的题为“显示装置的阵列基板”的发明专利申请No.200610121249.3的分案申请。

技术领域

本发明涉及阵列基板，制造阵列基板的方法和具有该阵列基板的显示装置。更具体地，本发明涉及具有改良显示质量的阵列基板，制造具有改良显示质量的阵列基板的方法，和具有改良显示质量的阵列基板的显示装置。

背景技术

通常，液晶显示(LCD)装置包含：阵列基板、与阵列基板相对的滤色器基板、和夹置在阵列基板和滤色器基板之间的液晶层。阵列基板具有多个像素，每个像素包含：提供栅信号的栅线、提供数据信号的数据线、与栅线及数据线电连接的薄膜晶体管(TFT)、以及接收数据信号并向液晶层施加电压的像素电极。每个TFT电极、栅线及数据线均有双层结构，来减少与像素电极的接触电阻以及线电阻。第一层包含铝钕，第二层包含层叠在第一层上的铬。当对第一及第二层构图以形成电极时，栅线与数据线会受到底切(undercut)现象的影响，这意味着第一层将比第二层蚀刻地更深。在这种底切现象出现的区域上会聚集电子，从而在这些区域内会出现局部电荷俘获效应。因此，形成在第二层上的绝缘层的电容增加，由此会改变像素电压及其亮度。

发明内容

依照本发明，阵列基板具有三层结构，包括铝钕、铬及氮化铬，这种结构防止了在对电极、栅线与数据线构图过程中的底切，因此消除了不希望的对层的蚀刻，而且减少了层与像素电极之间的接触电阻。

附图说明

本发明的上述及其他的特点与优点将通过对具体实施方式的详细描述并参考附图变得更为明显，其中：

图1为说明依照本发明的一个具体实施方式的LCD面板的横截面图；

图2为说明如图1所示的阵列基板的平面图；

图3为说明如图1所示的栅极的横截面图；

图4A至4H为说明形成如图2所示的阵列基板的各步骤的横截面图；

图5为说明形成如图4B所示的第三金属层的反应溅射装置的横截面图；

图6为说明形成如图4B所示的第三金属层的PCVD装置的横截面图；

图7A至7G为说明形成如图1所示的阵列基板的各步骤的横截面图；

图8为说明蚀刻如图7C所示的第一、第二金属及第三金属层的蚀刻池的横截面图；以及

图9为说明具有依照本发明的具体实施方式的LCD面板的LCD装置的分解透视图。

具体实施方式

可以理解，当一个元件或层被称为在另一个元件或层“之上”、“与其相连接”或“与其相耦合”时，它可以直接地在该另一个元件或层之上、与其相连接或与其相耦合，也可以存在着中间的元件或层。不同的是，当一个元件被提及“直接地”在另一个元件或层“之上”、“直接与其相连接”或“直接与其相耦合”时，就不存在中间的元件或层。在全文中，相似的数字指的是相似的元件。空间相对的术语指的是包含装置在使用或操作时除附图中描述的取向之外的不同取向。附图中说明的区域实际上是示意性的，它们的形状并不是要说明装置的区域的实际形状，也不是用来限定本发明的范围。

参考图1及图2，LCD面板100包含阵列基板200、滤色器基板300及形成在阵列基板200与滤色器基板300之间的液晶层400，LCD面板100显示图像。LCD面板100包含显示图像的显示区域DA、位于围绕显示区域DA的LCD面板第一部分的第一外围区域PA1，以及位于围绕显示区域DA的LCD面板第二部分的第二外围区域PA2。LCD面板在显示区域DA周围的第一部分是沿着LCD面板第一侧的部分，LCD面板在显示区域DA周围的第二部分是沿着基本与LCD面板的第一侧垂直的LCD面板第二侧的部分。在显示区域DA中，沿着第一方向D1的多条栅线GL以及沿着基本与第一方向D1相垂直的第二方向D2的多条数据线DL确定了多个像素区。