[发明专利]阴影效应分析结构、其形成方法和其分析方法

权利要求书

1.一种阴影效应分析结构，其特征在于，包括：测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，及位于所述测试基底的非离子注入区表面的至少两个光刻胶柱；其特征在于，至少有两个光刻胶柱的高度不相同。

2.根据权利要求1所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，以所述测试基底中心线向两侧所述光刻胶柱高度依次递减。

3.根据权利要求1所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，以所述测试基底中心线向两侧所述光刻胶柱的高度依次递增。

4.一种如权利要求1所述的阴影分析结构的形成方法，包括：提供测试基底，所述测试基底包括离子注入区和非离子注入区，在所述测试基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有凸表面或者凹表面；对所述光刻胶层进行图案化处理，在所述测试基底的非离子注入区表面形成若干数目的光刻胶柱，至少有两个光刻胶柱的高度不相同。

5.根据权利要求4所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，若所述光刻胶层为凸表面，则以所述测试基底中心线向两侧所述光刻胶柱的高度依次递减。

6.根据权利要求4所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，若所述光刻胶层为凹表面，则以所述测试基底中心线向两侧所述光刻胶柱的高度依次递增。

7.根据权利要求4所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，在所述测试基底上形成光刻胶层包括：通过喷头向所述测试基底喷吐光刻胶，同时测试基底旋转，以使得光刻胶形成在整片测试基底上。

8.根据权利要求7所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，形成光刻胶层时，通过控制测试基底的旋转速率，在所述测试基底上形成不同形状的光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，所述测试基底的旋转速率范围为0RPM～3000RPM时，所述光刻胶层具有凸表面。

10.根据权利要求8所述的阴影分析结构的形成方法，其特征在于，所述测试基底的旋转速率范围为3000RPM～6000RPM时，所述光刻胶层具有凹表面。

11.一种如权利要求1所述的阴影效应分析结构的分析方法，其特征在于，包括：提供阴影效应分析结构，所述阴影效应分析结构形成有至少两个光刻胶柱，且至少有两个光刻胶柱的高度不相同；使用离子束对测试基底上的离子注入区进行离子注入形成离子掺杂区；进行后续常规化的工艺，在所述测试基底上形成若干数目的MOS晶体管；

获得MOS晶体管的阈值电压和漏电流；

提供预先设置的标准阈值电压范围，及标准漏电流范围；

将获得的阈值电压与标准阈值电压范围比较，同时将获得漏电流与标准漏电流范围比较，若所述获得的阈值电压值落入标准阈值电压范围，同时所述获得的漏电流值落入标准漏电流值范围，则对应的MOS晶体管因光刻胶柱导致的阴影效应在可容忍范围。