[发明专利]填充组合物、包括其的半导体装置及该半导体装置的制法

权利要求书

1.填充组合物，包含：

包括Cu和/或Ag的第一颗粒；

使所述第一颗粒电连接的第二颗粒；以及

所述第一和第二颗粒分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂以及还原剂的树脂，

其中所述硬化剂包括胺和/或酸酐，且所述还原剂包括羧基。

2.权利要求1的填充组合物，其中：

所述第一颗粒占所述组合物的约5体积％～约40体积％；且

所述第二颗粒占所述组合物的约5体积％～约40体积％。

3.权利要求1的填充组合物，其中所述第一和第二颗粒占所述组合物的约30体积％～约50体积％。

4.权利要求1的填充组合物，其中所述第二颗粒为选自如下的至少一种：Sn、Bi、In、Ag、Pb、Cu、及它们的合金。

5.权利要求1的填充组合物，其中所述第二颗粒为选自如下的至少一种：60Sn/40Bi、52In/48Sn、97In/3Ag、57Bi/42Sn/1Ag、58Bi/42Sn、52Bi/32Pb/16Sn以及96.5Sn/3Ag/0.5Cu。

6.权利要求1的填充组合物，其中所述高分子化合物包括选自如下的至少一种单体：双酚A的二缩水甘油醚(DBEBA)、四缩水甘油基4，4’-二氨基二苯基甲烷(TGDDM)、其中的异氰酸酯以及双马来酰亚胺。

7.权利要求1的填充组合物，其中所述硬化剂具有为所述高分子化合物的约0.4～约1.2的当量。

8.权利要求1的填充组合物，其中所述硬化剂为选自如下的至少一种：间苯二胺(MPDA)、二氨基二苯基甲烷(DDM)、二氨基二苯基砜(DDS)、甲基纳迪克酸酐(MNA)、十二碳烯基琥珀酸酐(DDSA)、马来酸酐(MA)、琥珀酸酐(SA)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(MTHPA)、六氢邻苯二甲酸酐(HHPA)、四氢邻苯二甲酸酐(THPA)以及均苯四甲酸二酐(PMDA)。

9.权利要求1的填充组合物，其中所述还原剂以相对于所述树脂重量为小于约10份/100份树脂(phr)的量添加。

10.权利要求1的填充组合物，其中所述还原剂为选自如下的至少一种：戊二酸、苹果酸、壬二酸、松香酸、己二酸、抗坏血酸、丙烯酸和柠檬酸。

11.权利要求1的填充组合物，其中所述第一颗粒的直径为约1μm～30μm，且所述第二颗粒的直径为约5nm～100μm。

12.权利要求1的填充组合物，还包含催化剂和消泡剂。

13.权利要求12的填充组合物，其中所述催化剂以相对于所述树脂重量为小于30份/100份树脂(phr)的量添加。

14.权利要求12的填充组合物，其中所述催化剂为选自如下的至少一种：苄基二甲基胺(BDMA)、三氟化硼单乙基胺络合物(BF3-MEA)、二甲基氨基甲基苯酚(DMP)以及二甲基苯胺(DMBA)。

15.权利要求12的填充组合物，其中所述消泡剂为选自如下的至少一种：丙烯酸酯低聚物、聚乙二醇、甘油酯、聚丙二醇、二甲基硅氧烷、二甲基硅油、磷酸三丁酯以及聚二甲基硅氧烷。

16.半导体装置，包括：

形成有第一导电图案的第一基板；

形成有设置成面向所述第一导电图案的第二导电图案的第二基板；以及

使所述第一和第二导电图案电连接的连接图案，

其中所述连接图案包括填充组合物，所述填充组合物包含包括Cu或Ag的颗粒、焊剂粉、以及所述包括Cu或Ag的颗粒和所述焊剂粉分散于其中的包含高分子化合物、硬化剂和还原剂的树脂；所述硬化剂包括胺和/或酸酐；且所述还原剂包括羧基。

17.权利要求16的半导体装置，其中所述焊剂粉为选自Sn、Bi、In、Ag、Pb、Cu、及它们的合金的至少一种，并且使Cu颗粒电连接。

18.权利要求16的半导体装置，其中：

所述Cu颗粒占所述填充组合物的约5体积％～约40体积％；且

所述焊剂粉占所述填充组合物的约5体积％～约40体积％。