[发明专利]一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法

权利要求书

1.一种提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法，其特征在于：在磁控溅射工艺制备金属薄膜时，预先将基底进行离子注入后，再进行磁控溅射镀膜，得到所需导电金属薄膜。

2.根据权利要求1所述的提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法，其特征在于：所述的离子注入中，注入离子为与所镀金属薄膜的金属元素相同的元素离子，注入浓度为10¹⁶～5×10¹⁷/cm³。

3.根据权利要求1所述的提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法，其特征在于：所述基底为云母或有机聚合物薄膜。

4.根据权利要求1所述的提高磁控溅射工艺制备金属薄膜与基底结合力的方法，其特征在于：所述金属薄膜的厚度为100nm～10μm。

5.一种通过磁控溅射工艺制备金属薄膜的方法，包括以下步骤：

(1)将基底表面用丙酮或酒精清洗后，氮气吹干；

(2)使用MEVVA源对基底进行离子注入，离子注入能量为10kev～100kev，注入浓度为10¹⁶～5x10¹⁷/cm³；

(3)取出经过离子注入后的基底，进行磁控溅射，磁控溅射过程中气压为0.1pa～10pa，溅射时间为10～20分钟，基底温度为室温至300℃，得到金属薄膜。

6.根据权利要求5所述的通过磁控溅射工艺制备金属薄膜的方法，其特征在于：所述基底为云母或有机聚合物薄膜。

7.根据权利要求5所述的通过磁控溅射工艺制备金属薄膜的方法，其特征在于：步骤(2)中，注入离子为与所镀金属薄膜的金属元素相同的元素离子，离子注入源所用靶材为高纯金属，纯度在99.99％以上。

8.根据权利要求5所述的通过磁控溅射工艺制备金属薄膜的方法，其特征在于：步骤(3)中，磁控溅射所用靶材为高纯金属，纯度在99.99％以上。

9.根据权利要求5所述的通过磁控溅射工艺制备金属薄膜的方法，其特征在于：所述金属薄膜的厚度为100nm～10μm。