[发明专利]同轴一体化射频信号隔离器无效
| 申请号： | 201010546794.3 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102158218A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张盛兴 | 申请（专利权）人： | 广东通宇通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/14 | 分类号： | H03K19/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张海文 |
| 地址： | 528437 广东省中山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 同轴 一体化 射频 信号 隔离器 | ||
1.同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：包括主要由N型连接器阳、阴头(1、2)组成的外壳，N型连接器阳、阴头(1、2)通过绝缘外壳(3)固定装配于一起，N型连接器阳、阴头(1、2)的内通道分别设置有阳、阴头内导体(4、5)，所述阳、阴头内导体(4、5)通过中心被银电容(6)连接；在绝缘外壳(3)内分布有多个外环被银电容(7)，多个外环被银电容(7)通过集流片(71)连接在一起组成外环被银电容组，外环被银电容组两端分别连接N型连接器阳、阴头(1、2)，形成外壳频带通道。
2.根据权利要求1所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述N型连接器阳、阴头(1、2)分别通过阳、阴头法兰盘(11、21)与绝缘外壳(3)连接。
3.根据权利要求2所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述外环被银电容组安装于阴头法兰盘(21)上，以使外环被银电容组通过阴头法兰盘(21)连接N型连接器阴头(2)。
4.根据权利要求2或3所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述集流片(71)安装于阳头法兰盘(11)上，以使外环被银电容组通过集流片(71)及阳头法兰盘(11)连接N型连接器阳(1)。
5.根据权利要求1所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述中心被银电容(6)两端分别引出形电极(61)，所述阳、阴头内导体(4、5)端部分别设有与同一端的柱形电极(61)配合的容置端口(41、51)。
6.根据权利要求1或2或3或5所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述阳、阴头内导体(4、5)外周分别穿设有阳、阴头绝缘子(42、52)，并分别通过阳、阴头绝缘子(42、52)固定于N型连接器阳、阴头(1、2)的内通道中。
7.根据权利要求1所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述外环被银电容(7)分布在一同心圆上。
8.根据权利要求7所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述外环被银电容组具有七个外环被银电容(7)，七个外环被银电容(7)以中心被银电容(6)为中心轴等距分布。
9.根据权利要求1所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述N型连接器阳、阴头(1、2)与绝缘外壳(3)分别通过紧固螺钉(8)固定连接。
10.根据权利要求1所述的同轴一体化射频信号隔离器，其特征在于：所述N型连接器阳、阴头(1、2)的输入输出射频端口的阻抗为50欧姆。
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