[发明专利]厚多晶电阻的饱和掺杂工艺有效
| 申请号： | 201010547290.3 | 申请日： | 2010-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102097299A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 高向东;唐剑平;张明;吴晓鸫 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/223 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 饱和 掺杂 工艺 | ||
1.一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是，所述厚多晶电阻的掺杂工艺包括如下步骤：
(a)、提供衬底，所述衬底上设置有相应氧化物结构；
(b)、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积，使淀积后的多晶电阻材料达到所需的厚度；
(c)、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；
(d)、去除上述多晶电阻上形成的PSG，得到所需的厚多晶电阻。
2.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述厚多晶电阻的厚度为1.8μm～2.4μm。
3.根据权利要求1或2所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述厚多晶电阻为2～4ohm/sq。
4.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述步骤(b)中，在600～620℃下，淀积多晶电阻材料。
5.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述步骤(c)中，含磷气体为三溴化磷或三氯氧磷。
6.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述步骤(c)中，掺杂温度为950～1000℃，掺杂时间为102～150分钟，退火时间为90～150分钟。
7.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述步骤(d)中，采用H2O和氢氟酸溶液组成的混合溶液清洗去除PSG，清洗时间为60～180秒；混合溶液的温度为22℃～23℃；所述H2O和氢氟酸溶液的体积关系为H2O∶HF＝10～50∶1；所述氢氟酸的浓度为48～50％。
8.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述衬底的材料包括硅。
9.根据权利要求1所述的厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是：所述多晶材料通过LPCVD方式淀积在衬底的氧化物上。
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