[发明专利]相变存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201010548111.8 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102468433A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何其旸;张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制作方法 | ||
1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的接触插塞；
在所述层间介质层上形成覆盖所述接触插塞的绝缘介质层；
在所述绝缘介质层内形成碗状开口，所述碗状开口的底部露出所述接触插塞；
在所述碗状开口内形成相变层。
2.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘介质层内形成碗状开口包括：
在所述绝缘介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内形成有开口，所述开口的位置与所述接触插塞的位置对应；
以所述硬掩膜层为掩膜，对所述绝缘介质层进行刻蚀，在所述绝缘介质层内形成碗状开口；
去除所述硬掩膜层。
3.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或含氮碳化硅。
4.如权利要求2所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。
5.如权利要求4所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀时间为刻蚀所述绝缘介质层所需时间的1.01～1.5倍，形成的所述碗状开口与所述接触插塞的接触面积为不超过所述接触插塞面积的1/3。
6.如权利要要求4所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，若所述绝缘介质层的材质为氧化硅，所述湿法刻蚀的溶液为含氢氟酸的溶液；若所述绝缘介质层的材质为氮化硅、氮氧化硅或含氮碳化硅，所述湿法刻蚀的溶液为含磷酸的溶液。
7.如权利要求2所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为多晶硅或非晶碳。
8.如权利要求7所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅利用湿法工艺刻蚀，所述非晶碳利用灰化工艺刻蚀。
9.如权利要求2所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度范围为200～1500埃。
10.如权利要求3所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层的厚度为500～1500埃。
11.如权利要求3所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层的材质为氮化硅、氮氧化硅或含氮碳化硅。
12.一种相变存储器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的接触插塞；
绝缘介质层，位于所述接触插塞和层间介质层上方，所述绝缘介质层内形成有碗状开口，所述碗状开口底部露出所述接触插塞；
相变层，所述相变层覆盖于所述碗状开口内和所述绝缘介质层上，所述相变层与所述接触插塞接触。
13.如权利要求12所述的相变存储器，其特征在于，所述碗状开口露出所述接触插塞的面积不超过所述接触插塞面积的1/3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010548111.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
