[发明专利]晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201010548113.7 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102468173A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;C23C16/52;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底表面和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层，所述氧化层利用沉积工艺制作；
在所述氧化层上形成侧墙介质层；
去除位于所述半导体衬底上的侧墙介质层和氧化层，保留位于栅极结构的侧壁和顶部的侧墙介质层和氧化层，所述侧墙介质层和氧化层形成侧墙结构；
以所述栅极结构和侧墙结构为掩膜，进行离子注入，在栅极结构和侧墙结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区。
2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述沉积工艺为原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺，所述化学气相沉积工艺为高密度等离子体化学气相沉积工艺或低压化学气相沉积工艺。
3.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的温度范围为350～600摄氏度，时间范围为5～600秒。
4.如权利要求2所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的温度范围为100～650摄氏度，时间范围为30～1200秒。
5.如权利要求1～4中任一权利要求所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度范围为5～100埃。
6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极氧化层和位于所述栅氧化层上方的栅极，所述栅极氧化层利用氧化工艺制作，在所述半导体衬底上形成所述栅极结构后，在所述半导体衬底和栅极结构的侧壁和顶部形成氧化层前，还包括：对所述半导体衬底进行退火的步骤。
7.如权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火为快速热退火或炉管退火。
8.如权利要求6或7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火的温度范围为：500～1100摄氏度，所述退火的压力范围为1～780Torr。
9.如权利要求6或7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火利用氮气或惰性气体或氮气与惰性气体的混合气体进行。
10.如权利要求9所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气、氦气、氙气中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
