[发明专利]三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法

权利要求书

1.三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：该方法依次包括以下步骤：

步骤S100，对芯片正面进行粗化；

步骤S200，对划片后的芯片侧面进行粗化。

2.如权利要求1所述的三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：所述步骤S100包括以下步骤：

步骤一，在做好P/N面欧姆接触电极之后对芯片进行背面保护；

步骤二，配置NaOH溶液和民用漂白水腐蚀液，所述NaOH溶液按NaOH和H₂O比例为1g∶100ml至1g∶200ml配置，民用漂白水腐蚀液采用体积比为1∶5至1∶9之间的民用漂白水溶液与水配制，NaOH腐蚀液和民用漂白水腐蚀液的温度分别控制在25-30℃和30-40℃；

步骤三，将完成步骤一的芯片间隔放置于石英花篮内，先用上述NaOH溶液浸泡，时间控制在1-5s，然后立刻用上述民用漂白水腐蚀液对芯片正面进行腐蚀，时间控制在30-60秒，期间以1-5秒/次的速度上下晃动；并时刻观察芯片表面颜色变化；当观察到芯片表面呈漫反射状态时停止，即发光面呈现理想的粗化效果，如未观察到此状态重复步骤三；

步骤四，用去离子水清洗步骤三后获得的芯片，再用干燥氮气吹干。

3.如权利要求2所述的三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：所述步骤S200包括以下步骤：

步骤五，进行铝电极蒸镀、光刻、腐蚀，最后采用接触划片工艺对芯片进行划片至衬底；

步骤六，自制夹具，其包括旋转的底盘、在底盘上方的水龙头以及与水龙头连接的盛液槽，

步骤七，扩片，将塑料膜固定在扩片环，将划片后的芯片贴在塑料膜上，对划片后的芯片按1∶0.4-1∶0.7的比例进行微扩，将扩片环安装于旋转的底盘上；

步骤八，配制NaCLO腐蚀液，所述NaCLO腐蚀液采用NaCLO溶液与水按体积比为1∶5至1∶12之间配制，该NaCLO腐蚀液的PH值在4-8之间、温度在55-65°C；

步骤九，将配制好的NaCLO腐蚀液倒入腐蚀夹具的盛液槽里，开启转动底盘及水龙头喷洒NaCLO腐蚀液开始腐蚀，每片腐蚀40-70秒；

步骤十，腐蚀后，用去离子水清洗，再用干燥氮气吹干。

4.如权利要求3所述的三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：NaCLO腐蚀液的PH值为5。

5.如权利要求3所述的三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：NaCLO腐蚀液采用NaCLO溶液与水按体积比为1∶9。

6.如权利要求3所述的三元GaAsP铝电极发光二极管芯片制备方法，其特征在于：该NaCLO腐蚀液温度为60℃。