[发明专利]光吸收层的制造方法及应用其的太阳能电池结构体

权利要求书

1.一种光吸收层的制造方法，包括：

湿式涂布调控前驱物于底层前驱物上，该调控前驱物的能隙大于该底层前驱物的能隙，该调控前驱物为I-III-VI族化合物，且该I-III-VI族化合物的组成范围为Cu_a(In_1-b-cGa_bAl_c)(Se_1-dS_d)₂，0＜a，0≤b≤1，0≤c≤1，0＜b+c≤1，且0≤d≤1；以及

进行热处理，使得该底层前驱物及该调控前驱物形成光吸收层。

2.如权利要求1所述的光吸收层的制造方法，其中该底层前驱物为I-III-VI族硒化物。

3.如权利要求1所述的光吸收层的制造方法，其中该调控前驱物的厚度为1～3000纳米(nm)。

4.如权利要求1所述的光吸收层的制造方法，其中该调控前驱物的粒径大于或等于1纳米。

5.如权利要求1所述的光吸收层的制造方法，其中进行热处理的该步骤的温度为300～700℃。

6.一种太阳能电池结构体，包括：

基板；

金属层，配置于该基板上；

光吸收层，配置于该金属层上，该光吸收层系以下述步骤制成，包括：

湿式涂布调控前驱物于底层前驱物上，该调控前驱物的能隙大于该底层前驱物的能隙，该调控前驱物为I-III-VI族化合物，且该I-III-VI族化合物的组成范围为Cu_a(In_1-b-cGa_bAl_c)(Se_1-dS_d)₂，0＜a，0≤b≤1，0≤c≤1，0＜b+c≤1，且0≤d≤1；以及

进行热处理，使得该底层前驱物及该调控前驱物形成该光吸收层；

缓冲层，配置于该光吸收层上；

视窗层，配置于该缓冲层上；

导电层，配置于该视窗层上；以及

多根导线，配置于该导电层上。

7.如权利要求6所述的太阳能电池结构体，其中该光吸收层的晶面[112]/[103]的最大衍射峰所对应的衍射角度系大于26.7°。

8.如权利要求6所述的太阳能电池结构体，其中该底层前驱物为I-III-VI族硒化物。

9.如权利要求6所述的太阳能电池结构体，其中该调控前驱物的厚度为1～3000纳米(nm)。

10.如权利要求6所述的太阳能电池结构体，其中该调控前驱物的粒径大于或等于1纳米。

11.如权利要求6所述的太阳能电池结构体，其中进行热处理的该步骤的温度为300～700℃。