[发明专利]发光二极管元件用可硬化硅氧烷树脂组合物有效
申请号: | 201010549016.X | 申请日: | 2010-11-18 |
公开(公告)号: | CN102464887A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 钟显政;廖元利;翁伟翔;张誉珑;李昌鸿;谢育材 | 申请(专利权)人: | 达兴材料股份有限公司 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;H01L33/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 元件 硬化 硅氧烷 树脂 组合 | ||
1.一种可硬化硅氧烷树脂组合物,包含:
(A)含烯基的高交联度网状聚硅氧烷,其整体平均组成如结构式(1)所示:
R1nSiO(4-n)/2 (1)
式中,
R1彼此独立地为不具取代基或具取代基的单价烃基、烷氧基、羟基,
n为正数,且0≤n≤2,
其中,烯基占全部R1基的0.1至80摩尔%,且R1SiO3/2及/或SiO4/2单元占(A)的55摩尔%以上;
(B)含烯基的低交联度网状聚硅氧烷,其整体平均组成如结构式(2)所示:
R2nSiO(4-n)/2 (2)
式中,
R2彼此独立地为不具取代基或具取代基的单价烃基、烷氧基、羟基,
n为正数,且0≤n≤2,
其中,烯基占全部R2基的0.1至80摩尔%,且R2SiO3/2及/或SiO4/2单元占(B)的37摩尔%以下;
(C)含硅氢键的聚硅氧烷,其整体平均组成如结构式(3)所示:
R3aHbSiO(4-a-b)/2 (3)
式中,
R3彼此独立地为不具取代基或具取代基的单价烃基、烷氧基、羟基,但不包括烯基,且全部R3基中至少30摩尔%为甲基,
a为正数且0.7≤a≤2.1,b为正数且0.001≤b≤1.0,其中0.8≤a+b≤3.0,每一分子中至少要有两个与硅键结的氢原子;及
(D)氢化硅烷化反应的催化剂。
2.如权利要求1的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该组成(A)的结构式(1)及(B)的结构式(2)中,n的范围为1至2。
3.如权利要求1的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该组成(A)含烯基的高交联度网状聚硅氧烷中,R1SiO3/2单元及/或SiO4/2单元占(A)的55至71摩尔%。
4.如权利要求3的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该组成(A)含烯基的高交联度网状聚硅氧烷中,R1SiO3/2单元占(A)的55至71摩尔%。
5.如权利要求1的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该组成(B)含烯基的低交联度网状聚硅氧烷中,R2SiO3/2单元及/或SiO4/2单元占(B)的27至37摩尔%。
6.如权利要求5的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该组成(B)含烯基的低交联度网状聚硅氧烷中,R2SiO3/2单元占(B)的27至37摩尔%。
7.如权利要求1至6中任一项的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该(A)含烯基的高交联度网状聚硅氧烷含量为0.1至60重量%,(B)含烯基的低交联度网状聚硅氧烷含量为40至99.9重量%,(C)含硅氢键的聚硅氧烷含量为0.1至100重量%,以整体烯基聚硅氧烷的重量为基准,及(D)氢化硅烷化反应的催化剂含量为有效的催化量,以整体聚硅氧烷重量为基准。
8.如权利要求7的可硬化硅氧烷树脂组合物,其中该(A)含烯基的高交联度网状聚硅氧烷含量为40至60重量%,(B)含烯基的低交联度网状聚硅氧烷含量为40至60重量%,(C)含硅氢键的聚硅氧烷含量为14至30重量%,以整体烯基聚硅氧烷的重量为基准,及(D)氢化硅烷化反应的催化剂含量为至多500ppm,以整体聚硅氧烷重量为基准。
9.如权利要求1至6的可硬化硅氧烷树脂组合物,其更包含(E)具有环氧基的含硅氢键聚硅氧烷。
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