[发明专利]腔室组件及应用该腔室组件的半导体处理设备

权利要求书

1.一种腔室组件，其特征在于，包括：

腔室主体，所述腔室主体内限定有处理腔室；

屏蔽部件，所述屏蔽部件设置在所述处理腔室内；和

屏蔽冷却单元，所述屏蔽冷却单元至少设置在所述腔室主体的一端且与所述屏蔽部件接触，用于冷却所述屏蔽部件。

2.如权利要求1所述腔室组件，其特征在于，所述屏蔽冷却单元内形成有冷却通道，且所述冷却通道具有冷却介质入口和冷却介质出口。

3.如权利要求2所述的腔室组件，其特征在于，所述屏蔽冷却单元和所述屏蔽部件之间设置有热传导部件。

4.如权利要求3所述的腔室组件，其特征在于，所述热传导部件为陶瓷环。

5.如权利要求1所述的腔室组件，所述屏蔽冷却单元包括：

第一屏蔽冷却单元，所述第一屏蔽冷却单元设置在所述腔室主体的上端；和

第二屏蔽冷却单元，所述第二屏蔽冷却单元设置在所述腔室主体的下端。

6.如权利要求1所述的腔室组件，所述屏蔽冷却单元包括：

第一屏蔽冷却单元，所述第一屏蔽冷却单元设置在所述腔室主体的上端。

7.如权利要求6所述的腔室组件，其特征在于，所述屏蔽部件包括：

第一竖直部，所述第一竖直部设置在所述处理腔室内且邻近所述腔室主体的内周壁；和

第一凸缘，所述第一凸缘从所述第一竖直部的上端水平地向外凸出到所述腔室主体的上端面上方。

8.如权利要求7所述的腔室组件，其特征在于，所述第一屏蔽冷却单元内形成有第一冷却通道，且所述第一冷却通道具有第一冷却介质入口和第一冷却介质出口。

9.如权利要求8所述的腔室组件，其特征在于，所述第一屏蔽冷却单元包括：

第二竖直部；以及

第二凸缘，所述第二凸缘从所述第二竖直部的下端水平地向内凸出以与所述第一凸缘相对且相互接触。

10.如权利要求9所述的腔室组件，其特征在于，所述第二凸缘和所述第一凸缘之间设置有第一热传导部件。

11.如权利要求10所述的腔室组件，其特征在于，所述第一热传导部件为陶瓷环。

12.如权利要求1所述的腔室组件，其特征在于，所述屏蔽冷却单元包括第二屏蔽冷却单元，所述第二屏蔽冷却单元设置在所述腔室主体的下端。

13.如权利要求12所述的腔室组件，其特征在于，所述屏蔽部件包括：

第一竖直部，所述第一竖直部设置在所述处理腔室内且邻近所述腔室主体的内周壁；和

第三凸缘，所述第三凸缘从所述第一竖直部的下端水平地向内凸出且与所述第二屏蔽冷却单元接触。

14.如权利要求13所述的腔室组件，其特征在于，所述第二屏蔽冷却单元内形成有第二冷却通道，所述第二冷却通道具有第二冷却介质入口和第二冷却介质出口。

15.如权利要求14所述的腔室组件，其特征在于，所述第二屏蔽冷却单元和所述第三凸缘之间设有第二热传导部件。

16.如权利要求15所述的腔室组件，其特征在于，所述第二热传导部件为陶瓷环。

17.如权利要求15所述的腔室组件，其特征在于，所述屏蔽部件进一步包括第三竖直部，所述第三竖直部从第三凸缘的内沿竖直向下延伸，用于挡住所述第二热传导部件。

18.如权利要求1所述的腔室组件，其特征在于，所述屏蔽部件为法拉第屏蔽部件。

19.一种半导体处理设备，其特征在于，包括如权利要求1-18中任一项所述的腔室组件。

20.如权利要求19所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备为物理气相沉积设备或等离子体增强化学气相沉积设备，其中所述腔室组件为溅射腔室组件和/或预清洗腔室组件。