[发明专利]晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有源极、漏极，所述半导体衬底表面形成有第一介质层；

在所述源极和漏极之间的第一介质层内形成栅极，所述栅极位于源极和漏极之间的位置并超出该位置向所述源极或漏极延伸，向所述源极或漏极延伸的部分形成栅极延伸段，所述栅极延伸段与所述源极和漏极电绝缘；

在所述第一介质层上方形成第二介质层；

刻蚀所述第二介质层，形成接触孔，所述接触孔露出所述栅极延伸段以及与所述栅极延伸段相邻的源极或漏极；

在所述接触孔内形成共享插塞，所述共享插塞通过所述栅极延伸段将所述栅极与源极或漏极电连接。

2.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极包括功能层和位于所述功能层上方的金属层。

3.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极延伸段包括功能层和位于所述功能层上方的金属层。

4.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极和栅极延伸段的制作方法包括：

在所述第一介质层内形成第一开口，所述第一开口露出下方的第一介质层，所述第一开口位于所述源极和漏极之间的半导体衬底上；

在所述第一介质层内形成第二开口，所述第二开口与所述第一开口相通，所述第二开口露出源极或漏极上方的第一介质层；

在所述第一开口和第二开口内沉积功能层；

在所述功能层上方沉积金属层，所述金属层至少填充满所述第一开口和第二开口，位于所述第一开口内的所述功能层和金属层构成所述栅极，位于所述第二开口内的所述功能层和金属层构成所述栅极延伸段。

5.如权利要求4所述的晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：进行平坦化工艺，使得所述功能层和金属层与所述第一介质层齐平。

6.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述共享插塞的材质为导电物质。

7.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，在形成所述共享插塞前，还包括在所述接触孔内制作接触金属层的步骤。

8.如权利要求7所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述接触金属层的材质为金属硅化物。

9.如权利要求1所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极延伸段的长度范围为所述源极或漏极长度的1/4～1/3。

10.如权利要求9所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极延伸段的长度范围为20～40纳米。