[发明专利]一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路无效
| 申请号： | 201010549830.1 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102467145A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张立新;邹宇彤;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;胡旅顺 | 申请（专利权）人： | 无锡芯朋微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 高压 耗尽 nmos 结构 低压 电源 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用高压耗尽NMOS管结构的高压转低压电源电路，包括低压稳压电路（2），其特征是还包括高压耗尽管（1），所述高压耗尽NMOS管（1）的漏端接高压电源电压，栅端接一固定电位，源端为高压电源转化为低压电源输出。
2.根据权利要求1所述的高压转低压电源电路，其特征是所述低压稳压电路（2）由运算放大器U1，第一比例电阻R1，第二比例电阻R2，PMOS调整管P1组成，其中运算放大器U1的电源和PMOS调整管P1的源端接到高压耗尽NMOS管（1）的源端，运算放大器U1的负向输入端接基准电压Vbe，正向输入端接第一比例电阻R1和第二比例电阻R2的公共端Vfb 。
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