[发明专利]热处理腔、温度测量装置与方法无效
申请号: | 201010549911.1 | 申请日: | 2010-11-15 |
公开(公告)号: | CN102263044A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 蔡俊雄;吴启明;余德伟;詹前泰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 温度 测量 装置 方法 | ||
1.一种温度测量装置,适用于非接触性测量一待测元件的温度,包括:
一辐射源,发射一入射辐射至上述待测元件以在一既定时间加热上述待测元件至一既定温度范围,上述入射辐射具有一第一既定辐射范围;
一辐射检测器,当上述待测元件被加热的时候接收来自上述待测元件的反射辐射,其中上述辐射检测器用以检测一第二既定辐射范围;以及
一处理器,耦接于上述辐射检测器,根据上述第二既定辐射范围,产生对应于上述待测元件的一校准温度信号。
2.如权利要求1所述的温度测量装置,其中上述待测元件包括至少一半导体晶片或一半导体裸片,而上述辐射源是一钨丝卤素灯加热源。
3.如权利要求1所述的温度测量装置,其中上述第一既定辐射范围介于约0.35μm和3μm之间,上述第二既定辐射范围介于约3μm和6μm之间,上述辐射检测器具有二维阵列的一红外线感测器,上述既定温度范围介于约650℃到1010℃,而上述既定时间范围介于约0.5秒到4秒。
4.一种热处理腔,适用于在一快速反应时间内测量一晶片的一裸片间温度,包括:
一辐射源,发射一入射辐射至一晶片以在一既定时间加热上述晶片至一既定温度范围,上述入射辐射具有一第一既定辐射范围;
一辐射检测器,当上述晶片被加热的时候接收来自一裸片区的反射辐射,其中上述辐射检测器用以检测一第二既定辐射范围;以及
一处理器,耦接于上述辐射检测器,根据上述第二既定辐射范围,产生对应于上述裸片区的一校准温度信号。
5.如权利要求4所述的热处理腔,其中上述热处理腔是一快速热处理腔,而上述辐射检测器位于上述快速热处理腔的一观察视窗之外。
6.如权利要求4所述的热处理腔,其中上述红外线检测器是一二维阵列的红外线感测器,上述辐射源是一钨丝卤素灯加热源。
7.如权利要求4所述的热处理腔,还包括一透射板,设置于上述辐射源前方,用以选择性的通过上述入射辐射。
8.如权利要求4所述的热处理腔,其中上述第一既定辐射范围介于约0.35μm和3μm之间,上述第二既定辐射范围介于约3μm和6μm之间,上述既定温度范围介于约650℃到1010℃,而上述既定时间范围介于约0.5秒到4秒。
9.一种温度测量方法,适用于在一快速反应时间内测量一晶片的一裸片间温度,包括:
提供一晶片置于一热处理腔中;
辐射照射上述晶片以在一既定时间加热上述晶片至一既定温度范围,上述辐射照射范围在一第一既定辐射范围之中;
当上述晶片被加热时接收来自一裸片区的反射辐射,并检测具有一第二既定辐射范围的反射辐射;以及
经由一处理器根据接收上述具有第二既定辐射范围的上述反射辐射,决定上述裸片区的一温度。
10.如权利要求9所述的温度测量方法,其中上述第一既定辐射范围介于约0.35μm和3μm之间,上述第二既定辐射范围介于约3μm和6μm之间,而上述既定温度范围介于约650℃到1010℃,而上述既定时间范围介于约0.5秒到4秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造