[发明专利]一种用于晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征在于，步骤包括： 

①在经过常规的表面清洗以及表面结构化处理的硅片一面沉积二氧化硅或者氮化硅掩膜层；

②把二氧化硅或者氮化硅蚀刻浆料印刷在硅片上所需要刻槽的电极部位，腐蚀掉需要刻槽的电极部位所对应的二氧化硅或者氮化硅掩膜；

③把腐蚀后的硅片经过纯水喷淋、超声波清洗、稀盐酸溶液中超声清洗、循环纯水漂洗、纯水喷淋后放入盛有酸或碱溶液的容器中进行刻槽，即通过酸或者碱溶液与硅片反应，来完成对硅片刻槽的目的；

④对刻槽后的硅片用去离子水清洗，干燥后完成刻槽；

⑤将刻槽后的硅片进行扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD、丝网印刷，烧结等工序，得到太阳能电池片。

2. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征在于：所述步骤①采用PECVD工艺在硅片扩散面沉积二氧化硅或者氮化硅，沉积时温度为200~500℃，沉积的二氧化硅或者氮化硅的膜厚度为50~150nm。

3. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征在于：所述步骤②采用丝网印刷的方式把蚀刻浆料印刷到硅片上需要刻槽的电极部位，刻槽后使得在后续电池电极制作中选用丝网印刷的方法印刷电极更易对准。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征在于：蚀刻后槽的垂直剖面类似于椭圆形，槽的深度为15~40 μm。

5. 根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征在于：所述步骤③刻槽用的酸或者碱溶液浓度为10%~30%。