[发明专利]甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010550893.9 申请日: 2010-11-19
公开(公告)号: CN102059117A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 韩树全 申请(专利权)人: 韩树全
主分类号: B01J23/72 分类号: B01J23/72;C07F7/12
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 赵丽
地址: 610041 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 甲基 硅烷 合成 两种铜 催化剂 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂,其特征在于:它是以金属铜粉为原料,经氧化去除表面杂质、深度氧化改变物质结构、部分还原调节产物组成后制得的,其组成成分及重量百分比如下:

催化剂1:金属铜15~30%氧化亚铜20~30%氧化铜40~65%;用于合成反应启动后正常反应时使用;

催化剂2:金属铜50~65%氧化亚铜25~35%氧化铜5~20%;用于合成反应初期开车启动反应时使用。

2.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂,其特征在于:所述金属铜粉选自电解铜粉,其粒度为200~300目。

3.根据权利要求1所述的甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂的制备方法,其特征在于:包括如下工艺步骤:

A、氧化去除表面杂质:将铜粉置流化床反应器中,通入氧气含量为20~35%(体积)的富氧空气,在120~170℃温度下氧化15~30分钟去除表面杂质;

B、深度氧化改变物质结构:继续通入氧气含量为20~35%(体积)的富氧空气,在130~230℃温度下氧化20~60分钟,深度反应使铜粉转化为铜氧化物的粉末,即由立方紧密堆积的金属铜结晶晶型改变为相对松散的氧化铜和氧化亚铜晶型;

C、部分还原:在流化床反应器中通入计算量富集氢气的含氮气体,于150~300℃的温度下,80~120分钟还原步骤B的铜氧化物粉末,即得到目标产品——“催化剂1”或“催化剂2”。

4.根据权利要求3所述的甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂的制备方法,其特征在于:步骤C所述计算量富集氢气的含氮气体是指:按目标产品催化剂1或催化剂2中各组成成分的重量百分比计算所需理论氢气量200%(体积)的实际氢气量,另加占氢气总量10~40%(体积)的氮气。

5.根据权利要求3所述的甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂的制备方法,其特征在于:步骤C所述目标产品“催化剂1”粉末的粒度组成为:

<5μm的占5%~10%,5~90μm的占85%~90%,>90μm的占2%~5%;双峰偏向正态分布,主峰峰值粒度为(35±5)μm,次峰峰值粒度为(80±10)μm。

6.根据权利要求3所述的甲基氯硅烷合成用的两种铜催化剂的制备方法,其特征在于:步骤C所述目标产品“催化剂2”粉末的粒度组成为:

<5μm的占5%~10%,5~150μm的占85%~90%,>150μm的占2%~5%;双峰偏向正态分布,主峰峰值粒度为(80±10)μm,次峰峰值粒度为(35±5)μm。

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