[发明专利]薄膜厚度的监控方法有效
| 申请号： | 201010551355.1 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102466467A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 何永根;史运泽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 厚度 监控 方法 | ||
1.一种薄膜厚度的监控方法，其特征在于，包含：
提供衬底、参考薄膜和参考热波信号；
在所述衬底表面形成薄膜；
对所述薄膜进行掺杂；
对掺杂后的薄膜进行热波测量，得到热波信号；
对比所得到的热波信号与参考热波信号，如果所得到的热波信号与所述参考热波信号的差的绝对值小于所述参考热波信号的百分之一，则所得到的薄膜的厚度与参考薄膜厚度相同。
2.依据权利要求1的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，对薄膜掺杂后，对掺杂薄膜进行退火处理。
3.依据权利要求1或2的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述薄膜的材料是硅化锗。
4.依据权利要求3的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述掺杂采用的是离子注入法。
5.依据权利要求4的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述掺杂的离子是n型离子或者p型离子。
6.依据权利要求5的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述掺杂的离子是硼离子、氟化硼离子、磷离子、或者砷离子。
7.依据权利要求5或6的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述掺杂的注入能量的范围是500eV～20keV。
8.依据权利要求7的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述掺杂的注入的剂量为1E14～5E15原子/平方厘米。
9.依据权利要求2的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述退火处理采用的是最高温度值是950～1100℃的尖峰式退火。
10.依据权利要求2的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述退火处理采用的是最高温度值是1100～1300℃的激光退火。
11.依据权利要求1的薄膜厚度的监控方法，其特征在于，所述热波测量采用的泵浦光的波长是633nm。
12.依据权利要求1的掺杂薄膜的厚度的测量方法，其特征在于，所述热波测量采用的探测光的波长是488nm。
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