[发明专利]成膜基板夹具及其成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及成膜基板夹具及成膜装置技术，特别是涉及用于物理蒸镀法或化学蒸镀法的成膜基板夹具及其成膜装置的技术。

背景技术

溅射法和真空蒸发法等PVD（Physical Vapor Deposition）物理汽相沉积法，被广泛用于制造反射防止膜、绝缘膜、导电膜等各种功能薄膜。

如图10所示，现成膜装置（以使用圆形成膜基板夹具的间歇式/批次式成膜装置为例）的结构包括成膜腔体120，通过排气管121连接成膜腔体120的真空泵122，所述成膜腔体120的内部能减压至预先设定的能真空蒸发成膜的背压（如10^-2～10^-5Pa左右），成膜腔体120内设有用于向成膜基板供给成膜材料的材料供给部（图中未示），蒸镀材料123放置在成膜腔体120内。采用真空蒸发法时，成膜腔体120内的材料供给部可以是电阻加热坩埚或电子束照射部件，通过将蒸镀材料123放置在电阻加热坩埚内加热，或通过电子束照射对蒸镀材料123加热，当成膜腔体120内的背压低于被加热的蒸镀材料123的蒸气压时，蒸镀材料123即会蒸发汽化。采用溅射法时，让离子化的氩气等惰性气体撞击蒸镀材料123，使之释放原子，即可使蒸镀材料123蒸发汽化。所述成膜腔体120内，在蒸镀材料123对向位置放置成膜基板，在成膜腔体120内设有用于夹持成膜基板的成膜基板夹具组110，由成膜基板夹具组110夹持的成膜基板的成膜面对向蒸镀材料123，汽化的蒸镀材料123在成膜基板的成膜面固化，即可在成膜基板的成膜面形成蒸镀材料的薄膜层。这种成膜方法能在成膜基板上全面镀膜。

如果用氧化硅、氮化硅做蒸镀材料123，通过交替蒸发使之在基板表面层积，则可在成膜基板的成膜面形成反射防止膜镀层。如果用氧化硅、氮化硅等绝缘材料作为蒸镀材料123，则可在成膜基板的成膜面形成绝缘膜镀层。如果用金属等导电材料作为蒸镀材料123，则可在成膜基板的成膜面形成导电膜镀层。

图11是现有间歇式/批次式成膜装置所使用的圆形成膜基板夹具的结构图，夹持在这种成膜基板夹具110上的各成膜基板1是矩形的平板，其板面设有需成膜的成膜区域2，各矩形成膜基板的成膜区域2对向蒸镀材料123，蒸镀材料汽化后沉积在各成膜基板的成膜区域，即可在成膜区域表面形成蒸镀材料的薄膜层，各成膜基板1是辐射状均匀分布的。这种成膜方法中，由成膜基板夹具所夹持的各成膜基板位于汽化蒸镀材料的上方，称之为向上沉积成膜方法。

图12是现有in line连续式成膜装置所使用的成膜基板夹具的结构图，夹持在这种成膜基板夹具114上的各成膜基板1是矩形的平板，其板面设有需成膜的成膜区域2，各矩形成膜基板的成膜区域2对向蒸镀材料，各成膜基板1均匀分布。这种成膜方法也称之为向上沉积成膜方法。

图13是现有间歇式/批次式成膜装置所使用的鼓形成膜基板夹具的结构图，夹持在这种成膜基板夹具115上的各成膜基板1是矩形的平板，其板面设有需成膜的成膜区域2，各矩形成膜基板的成膜区域2对向蒸镀材料，各成膜基板1均匀分布。这种成膜方法中，由成膜基板夹具夹持的各成膜基板位于汽化蒸镀材料的侧方，称之为侧向沉积成膜方法。

上述成膜装置，由于成膜基板在夹具上是间隔配置的，因此成膜基板的大小决定着成膜生产效率的大小。在成膜基板的成膜区域占成膜基板面积较小的情况下，在成膜基板夹具上仍需占用一块成膜基板大小的面积，使得成膜基板中非成膜区域的成膜材料的消耗量较大，导致生产成本居高不下，提高生产效率困难，不经济。

发明内容

针对上述现有技术中存在的缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种在成膜基板的成膜区域较小时，能有效增加成膜基板的搭载数，减少非成膜区域的成膜，从而达到提高产能，减少材料消耗量，降低成本的成膜基板夹具及其成膜装置。

为了解决上述技术问题，本发明所提供的一种成膜基板夹具，其特征在于：包括能覆盖所夹持的各成膜基板的非成膜区域，并设有供所夹持的各成膜基板的成膜区域露出的多个开口部的夹具基体，及设置在夹具基体同侧表面上，能使所夹持的各成膜基板的板面均倾斜于夹具基体的该侧表面并互不接触的多个夹持部件。

进一步的，所述夹具基体的各开口部外周边均设有用于托持成膜基板的辅助补正板部件，且成膜基板由夹持部件夹持后，辅助补正板部件位于成膜基板和夹具基体之间，并位于成膜基板的成膜区域外周。

进一步的，所述夹具基体呈环形或圆形。

进一步的，所述夹具基体呈带状。