[发明专利]等离子体增强化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括：

腔体，包括位于其顶部的进气口，所述腔体连接于地端；

电源，位于所述腔体外，用于产生激发等离子体的射频信号；

气体扩散板组件，位于所述腔体内进气口下方，用于均匀从所述进气口进入所述腔体的反应气体，所述气体扩散板组件至少包含一与所述腔体等电位的气体扩散板；

上电极，位于所述腔体内所述气体扩散板组件的下方，所述上电极上设置有射频信号输入点，所述电源通过所述射频信号输入点向所述上电极注入射频信号；

下电极，位于所述腔体底部且接地，与所述上电极相对设置；

其特征在于，

所述上电极和所述下电极之间形成有等离子体等效电容器；

所述上电极和所述气体扩散板之间形成有调节等效电容器，所述调节等效电容器与所述等离子体等效电容器并联，所述调节等效电容器的电容与施加于所述上电极的射频信号相匹配，用以调节在所述上电极与所述下电极之间的等离子体的均匀分布。

2.如权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述电源通过射频信号输入点向所述上电极注入射频信号时，在所述上电极上所形成的射频信号注入区为第一区域，在所述上电极上所述第一区域以外的区域为第二区域，与所述第一区域对应的调节等效电容器的单位面积的电容大于与所述第二区域对应的调节等效电容器的单位面积的电容。

3.如权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一区域为以所述射频信号输入点为圆心，半径为10厘米的圆形区域；所述第二区域为以所述射频信号输入点为圆心，半径为10厘米的圆形区域以外的区域。

4.如权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二区域包括第一子区域与第二子区域，所述第一子区域是指以所述射频信号输入点为圆心，半径为10厘米至30厘米的圆环形区域；所述第二子区域是指以所述射频信号输入点为圆心，半径为30厘米的圆形区域以外的区域，与所述第一子区域对应的调节等效电容器的单位面积的电容大于与所述第二子区域对应的调节等效电容器的单位面积的电容。

5.如权利要求3或4任意一权利要求所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述述上电极上设置有4个射频信号输入点，所述4个射频信号输入点以上电极中心点为中心对称分布于所述上电极。

6.如权利要求3或4所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述上电极为气体喷淋头，所述气体喷淋头朝向所述气体扩散板的面为凸面，所述气体喷淋头朝向下电极的面为平面。

7.如权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积装置还包括位于气体扩散板和上电极之间的介质层，所述介质层包括第一电介质和第二电介质，所述第一电介质的介电常数大于第二电介质的介电常数，所述第一电介质在所述第一区域内的面积比例大于其在所述第二区域内的面积比例。

8.如权利要求4所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积装置还包括位于所述气体扩散板和上电极之间的介质层，所述介质层包括第一电介质和第二电介质，所述第一电介质的介电常数大于第二电介质的介电常数，第一电介质在第一区域内的面积比例大于其在第二区域的第一子区域内的面积比例，第二区域的第二子区域只包括第二电介质。

9.如权利要求7或8所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述上电极为气体喷淋头，所述气体喷淋头朝向气体扩散板的面为平面，朝向下电极的面为凹面。

10.如权利要求7或8所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述上电极为气体喷淋头，所述气体喷淋头朝向气体扩散板的面为平面，朝向下电极的面也为平面。

11.如权利要求7或8所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一电介质的介电常数大于或等于2.5且小于或等于13，所述第二电介质的介电常数大于或等于1且小于2.5。

12.如权利要求8所述的等离子体增强化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一电介质包括第一电介质片和第二电介质片，所述第一电介质片的面积大于第二电介质片的面积，所述第一电介质片覆盖于第一区域，多片第二电介质片均匀分散排布于第二区域的第一子区域。