[发明专利]具有电极焊盘的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

基底；

第一导电类型半导体层，在基底上；

第二导电类型半导体层，在第一导电类型半导体层上；

有源层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；

第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；

第二电极焊盘，在第一导电类型半导体层上；

绝缘层，设置在第一导电类型半导体层和第二电极焊盘之间，并使第二电极焊盘与第一导电类型半导体层电绝缘；

至少一个上延伸体，在电连接到第二导电类型半导体层的同时连接到第二电极焊盘。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一导电类型半导体层为n型氮化物半导体层，第二导电类型半导体层为p型氮化物半导体层。

3.如权利要求2所述的发光二极管，所述发光二极管还包括在p型氮化物半导体层上的透明电极层，其中，上延伸体位于透明电极层上。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第一导电类型半导体层包括至少一个通过台面蚀刻第二导电类型半导体层和有源层而暴露的区域，第二电极焊盘位于第一导电类型半导体层的暴露区域上。

5.如权利要求4所述的发光二极管，所述发光二极管还包括将上延伸体连接到第二电极焊盘的连接部分，其中，第二导电类型半导体层和有源层的经过台面蚀刻的侧表面通过绝缘层与所述连接部分绝缘。

6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，绝缘层延伸到第二导电类型半导体层的上表面，使得绝缘层的边缘与第二导电类型半导体层叠置。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，第二电极焊盘的至少一部分位于第二导电类型半导体层上，第二电极焊盘和第二导电类型半导体层通过绝缘层彼此分开。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，第二导电类型半导体层和有源层被分开以限定至少两个发光区域，连接到第二电极焊盘的上延伸体位于所述至少两个发光区域的每个上。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，所述至少两个发光区域以相对于与第一电极焊盘和第二电极焊盘交叉的线的对称结构设置。

10.如权利要求8所述的发光二极管，所述发光二极管还包括连接到第一电极焊盘的一个或多个下延伸体，其中，至少一个下延伸体位于所述至少两个发光区域之间。