[发明专利]发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法

权利要求书

1.一种发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，在Si圆片（1）上刻蚀与所封装LED阵列相对应的图案：微槽（2）阵列，微槽之间通过微流道（3）相连通，微槽(2)为方形或圆形，在微槽内放置适量的热释气剂（4）； 

第二步，将带有图案和热释气剂的上述Si圆片(1)与硼硅玻璃圆片在空气中或者真空中阳极键合使上述微槽和微流道密封，形成密封腔体；

第三步，将上述键合好的圆片在空气中加热至820℃~950℃，并保温0.5~10min，热释气剂因受热分解产生气体在密闭腔体内形成的正压力，使得在熔融玻璃上形成与所述硅微槽相对应的球形玻璃微腔(5)以及连接球形玻璃微腔的圆柱形玻璃微流道：对应于微槽(2)的熔融玻璃形成球形玻璃微腔，对应于微流道(3)的玻璃形成圆柱形微流道，热却至常温，退火，去除硅得到圆片级玻璃微腔；

第四步，引线基板的制备：在硅圆片(6)上刻蚀形成特定尺寸的微槽(7)，微槽与玻璃微腔(5)位置相对应；再在硅圆片(6)表面溅射金属铝，通过光刻腐蚀制作金属引线(9)和LED芯片(10)的反光杯(8)，得到引线基板(6)；

第五步，芯片贴装：将发光二极管倒装芯片(10)倒装焊在引线基板(6)的反光杯(8)内相应位置，使得芯片与引线基板相连接；

第六步，圆片级键合：将所述圆片级玻璃微腔与载有LED芯片的基板(6)进行键合，形成键合圆片(13)；

第七步，通过玻璃微流道(16)向发光二极管(LED)芯片与圆片级玻璃微腔间隙内填充的硅胶(12)，使得发光二极管芯片处于所述玻璃封装体(5)中，实现LED的圆片级封装；

上述步骤中，荧光粉的涂覆方式为以下三种中的一种：在第三步制备得到玻璃微腔后在玻璃微腔表面涂覆荧光粉，或在第五步芯片贴装后将荧光粉涂覆在芯片表面，或在第七步在填充的硅胶中均匀混入荧光粉。

2.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于热释气剂(4)为碳酸钙粉末。

3.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于制备用于发光二极管封装的圆片级MEMS玻璃微腔时，微槽(2)和微流道(3)的宽度比大于5：1。

4.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于所述第一步Si圆片刻蚀工艺为湿法腐蚀，刻蚀深度为20-100微米。

5.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，所述硼硅玻璃为Pyrex7740玻璃，所述阳极键合的条件为：温度400℃，电压：600V。

6.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，第三步中所述热退火的工艺条件为：退火温度范围在510℃~560℃中，退火保温时间为30min，然后缓慢风冷至常温。

7.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，溅射的金属为Al，腐蚀Al使用80℃的浓磷酸。

8.根据权利要求1所述的发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，在第四步中，使用焊球或锡膏(11)将LED芯片(10)通过倒装焊技术倒装在反光杯底部的Al引线Pad上，实现电学互联。

9.根据权利要求1所述发光二极管倒装芯片的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，第六步中玻璃球腔封装体(5)与载有发光二极管芯片的硅圆片(6)粘接采用低温玻璃焊料键合或者金属键合或者粘结剂键合。

10.根据权利要求1所述的发光二极管的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，第二步中引线基板上的微槽(7)的深度为400～450um。

11.根据权利要求1或13所述的发光二极管的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，溅射的金属Al作为导电引线，在引线基板的反光杯表面的Al层也作为LED芯片的反光杯。

12.根据权利要求1所述的发光二极管的圆片级玻璃球腔封装方法，其特征在于，第七步中硅胶的注入过程中，可以将一定量的荧光粉均匀地与硅胶混合，制备成满足白光要求浓度的荧光粉层(12)，然后通过点胶机在玻璃球腔(13)通过气压将荧光粉硅胶(12)注入到圆片级的玻璃封装腔(13)内，另外在另一端球腔(15)通过真空泵施加负压，在正负压共同作用下实现硅胶注入，在气压作用下硅胶(12)通过微流道(16)逐渐注入圆片上的其他玻璃球腔内，实现了白光LED的圆片级封装。