[发明专利]LDMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010552466.4 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102468335A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括外延层和位于所述外延层表面内的阱区；
位于所述阱区内的源区，位于所述外延层内的漏区；
位于所述外延层表面内，与所述外延层掺杂状态不同的第一区和第二区，所述第一区和第二区设置于所述源区与漏区之间的漂移区内，且所述第一区和第二区的掺杂状态不同；
位于所述第一区和第二区上方的场氧化层；
位于所述阱区和所述场氧化层上的栅区。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区和第二区的排列方式为，在所述基底的平面内，垂直于漂移方向排列。
3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区和第二区的导电类型相反。
4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第二区和所述外延层的导电类型相同，且所述第二区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区和第二区的掺杂浓度基本相同。
6.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区和第二区的深度相同。
7.根据权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区为P型掺杂，所述第二区为N型掺杂，且所述第一区的长度小于第二区。
8.根据权利要求1-7任一项所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区和第二区的形成方法为，采用选择性外延生长的工艺先后形成所述第一区和第二区。
9.根据权利要求1-7任一项所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一区和第二区的形成方法为，采用离子注入的方法先后形成所述第一区和第二区。
10.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括外延层和位于所述外延层表面内的阱区；
在所述外延层表面内形成第一区和第二区，所述第一区和第二区的掺杂状态不同；
在所述第一区和第二区上方的外延层上形成场氧化层；
在所述阱区和所述场氧化层上形成栅区，在所述阱区内形成源区，在所述外延层内形成漏区，所述第一区和第二区位于所述源区与漏区之间的漂移区内。
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