[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层；

依次刻蚀所述衬垫氧化层、刻蚀停止层和衬底，形成浅沟槽；

在所述浅沟槽表面形成第一衬垫介质层；

在所述第一衬垫介质层表面形成第二衬垫介质层；

部分氧化所述第二衬垫介质层，形成第三衬垫介质层；

形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。

2.依据权利要求1的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第一衬垫介质层的材料是二氧化硅。

3.依据权利要求2的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第一衬垫介质层的形成工艺是热氧化。

4.依据权利要求3的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第一衬垫介质层的厚度是1-30nm。

5.依据权利要求1至4的任意一项的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第二衬垫介质层的材料选择的是氮化硅。

6.依据权利要求5的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第二衬垫介质层的形成工艺是低压化学气相沉积法或者原子层沉积法。

7.依据权利要求5的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第二衬垫介质层的厚度是1-30nm。

8.依据权利要求7的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第三衬垫介质层的材料是氮氧化硅。

9.依据权利要求8的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述第三衬垫介质层的厚度是1-5nm。

10.依据权利要求8的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述隔离介质层的材料是二氧化硅。

11.依据权利要求10的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，形成覆盖所述第三衬垫介质层，且填充满所述浅沟槽的隔离介质层的步骤包括：

形成覆盖所述第三衬垫介质层，且填充满所述浅沟槽的隔离介质层；

对所述隔离介质层进行平坦化处理，直至暴露刻蚀停止层的表面；

去除所述刻蚀停止层。

12.依据权利要求10的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述隔离介质层的形成工艺是高密度等离子体辅助化学气相沉积技术或者亚常压化学气相沉积技术。

13.一种浅沟槽隔离结构，包含形成于衬底内的浅沟槽，其特征在于，还包括：

位于所述浅沟槽表面的第一衬垫介质层；

位于第一衬垫介质层表面的第二衬垫介质层；

位于第二衬垫介质层表面的第三衬垫介质层；

填充满所述浅沟槽的隔离介质层。

14.依据权利要求13的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一衬垫介质层的材料是二氧化硅。

15.依据权利要求14的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一衬垫介质层的厚度是1-30nm。

16.依据权利要求14的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第二衬垫介质层的材料是氮化硅。

17.依据权利要求16的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第二衬垫介质层的厚度是1-30nm。

18.依据权利要求16的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第三衬垫介质层的材料是氮氧化硅。

19.依据权利要求18的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第三衬垫介质层的厚度是1-5nm。

20.依据权利要求18的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述隔离介质层的材料是二氧化硅。