[发明专利]固体摄像器件、相机、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像器件，其包括：

半导体基板；

至少一个感光部，其位于所述半导体基板中并具有电荷累积区；以及

介电层，其位于所述半导体基板的与所述电荷累积区相邻的感应层上方，

其中，所述感应层由所述介电层感应。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述介电层感应位于所述半导体基板中的所述至少一个感光部上方的所述感应层的部分。

3.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述介电层和所述感应层具有与所述感光部相反的导电类型。

4.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电荷累积区的杂质浓度沿所述半导体基板的离所述介电层最近的表面较大。

5.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，入射光进入离所述介电层最远的所述半导体基板一侧。

6.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电荷累积区的杂质浓度沿所述半导体基板的离所述介电层最远的表面较大。

7.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述介电层局部地形成于所述半导体基板的上层上。

8.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述介电层包括选自于铪、锆、铝、钽、钛、钇以及镧系元素的材料。

9.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述介电层还用作防反射膜。

10.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：

形成位于半导体基板中并具有电荷累积区的至少一个感光部；

形成位于所述半导体基板的后表面中并与所述电荷累积区相邻的感应层；以及

在所述感应层上方形成介电层。

11.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层感应位于所述半导体基板中的所述至少一个感光部上方的所述感应层的部分。

12.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层和所述感应层具有与所述感光部相反的导电类型。

13.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述电荷累积区的杂质浓度沿所述半导体基板的离所述介电层最近的表面较大。

14.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述电荷累积区的杂质浓度沿所述半导体基板的离所述介电层最远的表面较大。

15.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层局部地形成于所述半导体基板的上层上。

16.如权利要求10所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层包括选自于铪、锆、铝、钽、钛、钇以及镧系元素的材料。

17.一种相机，其包括：

透镜；以及

位于所述透镜前的固体摄像器件，该固体摄像器件包括半导体基板、位于所述半导体基板中并具有电荷累积区的至少一个感光部、以及位于所述半导体基板的与所述电荷累积区相邻的感应层上方的介电层，

其中，所述感应层由所述介电层感应。

18.如权利要求17所述的相机，包括位于所述透镜与所述固体摄像器件之间的快门器件。

19.如权利要求17所述的相机，其中，所述介电层感应位于所述半导体基板中的所述至少一个感光部上方的所述感应层的部分。

20.如权利要求17所述的相机，其中，所述介电层和所述感应层具有与所述感光部相反的导电类型。

21.如权利要求17所述的相机，其中，所述电荷累积区的杂质浓度沿所述半导体基板的离所述介电层最近的表面较大。

22.如权利要求17所述的相机，其中，所述电荷累积区的杂质浓度沿所述半导体基板的离所述介电层最远的表面较大。

23.如权利要求17所述的相机，其中，入射光进入所述半导体基板的离所述介电层最远的侧。

24.如权利要求17所述的相机，其中，所述介电层局部地形成于所述半导体基板的上层上。