[发明专利]一种高功率被动调Q激光器有效
| 申请号： | 201010553504.8 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102013634A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吴励;韩晓明;杨建阳;任策;陈卫民 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/04;H01S5/065;H01S5/024 |
| 代理公司： | 福建炼海律师事务所 35215 | 代理人： | 许育辉 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 被动 激光器 | ||
1.一种高功率被动调Q激光器，包括阵列半导体泵浦激光器（101）、泵浦耦合系统（102）、激光增益介质（103）和被动调Q晶体（104），其特征在于所述的激光增益介质（103）制作成梯形，所述的激光增益介质（103）的S1面和S2面镜像平行，S1面、S2面与的S3面形成折叠式平行平面谐振腔，S1面与S3面的夹角和S2面与S3面的夹角均为θ角，且θ角大小可调节，被动调Q晶体（104）放置在该折叠式平行平面谐振腔的光路上，形成被动调Q激光腔。
2.如权利要求1所述的一种高功率被动调Q激光器，其特征在于：所述的激光增益介质（103）的S1面镀基波高反膜，S2面镀基波增透膜。
3.如权利要求1所述的一种高功率被动调Q激光器，其特征在于：通过调节θ角大小调节基频光基模体积大小。
4.如权利要求1、2或3所述的一种高功率被动调Q激光器，其特征在于：在激光增益介质(103)的S3面光胶一散热光学件（105），激光增益介质(103)与散热光学件(105)之间的光胶辅助材料的折射率低于激光增益介质(103)的折射率。
5.如权利要求1、2或3所述的一种高功率被动调Q激光器，其特征在于：在激光增益介质(103)的S3面键合一散热光学件（105），散热光学件(105)的折射率低于激光增益介质(103)的折射率，使基波在S3面形成全反射。
6.如权利要求1、2或3所述的一种高功率被动调Q激光器，其特征在于：所述的折叠式平行平面谐振腔，采用的是整体微片式。
7.如权利要求1、2或3所述的一种高功率被动调Q激光器，其特征在于：所述的折叠式平行平面谐振腔，采用的是分离腔。
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