[发明专利]快速恢复二极管

权利要求书

1.一种快速恢复二极管(1)包括

具有阴极侧(23)和在所述阴极侧(23)相对侧的阳极侧(24)的第一导电类型的基极层(2)，

在所述阳极侧(24)上具有第一深度(410)和第一最大掺杂浓度的第二导电类型的阳极缓冲层(41)，

具有低于所述第一深度(410)的第二深度(420)和高于所述第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度的第二导电类型的阳极接触层(42)，

处于击穿电压的阳极结的空间电荷区，其位于第三深度(430)和所述阴极侧(23)之间，所述第三深度(430)设置在所述第一和所述第二深度(410、420)之间，所述第一、第二和第三深度(410、420、430)从所述阳极侧(24)测量，以及

具有缺陷峰值的缺陷层(43)，其设置在所述第二和第三深度(420、430)之间。

2.如权利要求1所述的二极管(1)，特征在于，所述阳极缓冲层(41)和/或所述阳极接触层(42)具有圆形或四边形。

3.如权利要求1或2所述的二极管(1)，特征在于，所述二极管(1)包括至少一个第二导电类型的终端层(44)，其设置在所述二极管的终端区域(21)中的所述阳极侧(24)上。

4.如权利要求3所述的二极管(1)，特征在于，所述至少一个终端层(44)中的任意一个具有圆形或四边形。

5.用于制造快速恢复二极管(1)的方法，

所述方法包括下列制造步骤：

提供具有阴极侧(23)和在所述阴极侧(23)相对侧的阳极侧(24)的第一导电类型的晶片(20)，

对于阳极缓冲层(41)的形成，第二导电类型的第一离子(411)施加在所述阳极侧(24)上，

所述第一离子(411)扩散进入所述晶片(20)，由此形成具有第一深度(410)和第一最大掺杂浓度的所述阳极缓冲层(41)，

然后对于阳极接触层(42)的形成，第二导电类型的第二离子(421)施加在所述阳极侧(24)上，

所述第二离子(421)扩散进入所述晶片(20)，由此形成具有低于所述第一深度(410)的第二深度(420)和高于所述第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度的所述阳极接触层(42)，

然后形成阴极电极(3)和阳极电极(4)，

然后所述晶片(20)用第三离子(431)辐照以便形成缺陷层(43)，

其中所述第三离子(431)的能量选择使得缺陷峰值设置在所述第二深度(420)和第三深度(430)之间，所述第三深度(430)小于所述第一深度(410)，并且处于所述器件击穿电压的阳极结的空间电荷区位于所述第三深度(430)和所述阴极侧(23)之间，以及

所述第一、第二和第三深度(410、420、430)从所述阳极侧(24)测量。

6.如权利要求7所述的用于制造二极管(1)的方法，特征在于

为了施加所述第一离子(411)、所述第二离子(421)或所述第一和第二离子(411、421)，掩模(5)施加在所述阳极侧(24)上。

7.如权利要求6所述的用于制造二极管(1)的方法，特征在于

所述掩模(5)在所述晶片(20)的中心部分中具有开口并且所述掩模(5)在所述晶片的终端区域(21)中具有至少一个开口以便形成第二导电类型的至少一个终端层(44)。

8.如权利要求5所述的用于制造二极管(1)的方法，特征在于

使用至少一个下列离子：

所述第一离子(411)是硼，

所述第二离子(421)是硼，

所述第三离子(431)是质子或氦。

9.如权利要求5所述的用于制造二极管(1)的方法，特征在于

所述阳极缓冲层(41)的最大掺杂浓度在1*10¹⁵cm^-3和5*10¹⁶cm^-3之间范围内或在2*10¹⁵cm^-3和3*10¹⁶cm^-3之间范围内。

10.如权利要求5所述的用于制造二极管(1)的方法，特征在于

所述第一深度(410)在最大25μm并且所述第二深度(420)在最大5μm。

11.如权利要求1至4中任一项所述的二极管(1)，其在集成门极换流晶闸管或绝缘栅双极晶体管应用中使用。