[发明专利]一种提高电流扩展效应的LED制作方法无效
| 申请号： | 201010554509.2 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102468377A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙智江 | 申请（专利权）人： | 孙智江 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 上海黄浦区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电流 扩展 效应 led 制作方法 | ||
1.一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤①，在LED发光晶体外延片制作步骤中生成用于发光的有源区；
步骤②，在所述的有源区外表面生成用于作为电极的P型结构层或N型结构层；
步骤③，进行选择性掺杂，在所述的P型结构层或N型结构层的外表面加入掺杂离子。
2.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的选择性掺杂为，在PN结的P型区域中加入P型掺杂离子，形成不均匀电阻区域。
3.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的选择性掺杂为，在PN结的N型区域中加入P型掺杂离子，形成PN结区。
4.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的选择性掺杂为，在PN结的P型区域中，加入N型掺杂离子，形成PN结区。
5.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的选择性掺杂为，在PN结的N型区域中，加入N型掺杂离子，形成不均匀电阻区域。
6.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的有源区为多层量子阱沉积。
7.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的选择性掺杂通过掩膜方法实现。
8.根据权利要求7所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的掩膜为软掩膜或硬掩膜。
9.根据权利要求8所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的软掩膜为光阻掩膜，所述的硬掩膜为SiO2掩膜或SiN掩膜。
10.根据权利要求1所述的一种提高电流扩展效应的LED制作方法，其特征在于：所述的选择性掺杂方法为离子注入或热扩散。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙智江，未经孙智江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010554509.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
