[发明专利]网状透明电极的制作方法无效
| 申请号： | 201010554510.5 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102468378A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 孙智江 | 申请（专利权）人： | 孙智江 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 上海黄浦区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 网状 透明 电极 制作方法 | ||
1. 网状透明电极的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤①，在LED外延生长的过程中，对GaN材料进行沉积；
步骤②，在LED外延生长完成后，进行透明电极层的沉积；
步骤③，将沉积透明电极层制作成网格状层，所述的网格状层构成电流扩展层和应力缓冲层。
2. 根据权利要求1所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述的透明电极层为高介电常数透明电极层。
3. 根据权利要求2所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述的高介电常数透明电极层的折射系数大于1.5。
4. 根据权利要求2所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述的高介电常数透明电极层为ZnO层或ZrO层。
5. 根据权利要求1所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述网格状层的网格单元面积大小均等。
6. 根据权利要求1或5所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述的网格宽度为100nm至500nm。
7. 根据权利要求1所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述的透明电极层的厚度为200nm至400nm。
8. 根据权利要求1所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：在所述的网状透明电极在LED的P型区域和/或N型区域上制作。
9. 根据权利要求1所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：步骤③通过掩膜方法制造。
10. 根据权利要求9所述的网状透明电极的制作方法，其特征在于：所述的掩膜包括软掩膜和硬掩膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙智江，未经孙智江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010554510.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
