[发明专利]一种生长硼酸铋晶体的工艺方法无效
| 申请号： | 201010555014.1 | 申请日： | 2010-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102002752A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;吴少凡;郑熠 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 硼酸 晶体 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生长硼酸铋晶体的工艺方法，其特征在于将原料混合均匀后熔融后装入坩埚中冷却，后放置于电阻式下降炉中进行晶体生长。
2.根据权利要求1所述的一种生长硼酸铋晶体的工艺方法，其特征在于坩埚材料可以是铂金。
3.根据权利要求1所述的一种生长硼酸铋晶体的工艺方法，其特征在于在坩埚外侧放置一测温装置，测温装置可以是铂铑合金。
4.根据权利要求1所述的一种生长硼酸铋晶体的工艺方法，其特征在于坩埚位置可以调节，调节速率为0.2-2mm/天。
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