[发明专利]一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法

说明书

【技术领域】

本发明属于晶体生长领域，具体指一种防止三硼酸铯生长过程中原料严重挥发的方法 

【技术背景】

三硼酸铯(化学式CsB3O5，简称CBO)是硼酸盐中一种新型的非线性晶体，非线性系数和LBO大致相同，紫外波段透光能力优于BBO，抗激光损伤阈值高于BBO，特别在晶体制备上优于BBO和LBO，CBO是同成分熔融化合物，不用采用外加助熔剂，可以有效减少助熔剂带来影响。 

该晶体虽然在某些方面具有比BBO和LBO更好的性能，但是该晶体生长过程由于挥发严重，组分容易偏离，晶体生长困难。 

本发明采用一种简单方法有效降低生长过程中的挥发，晶体稳定生长，得到优质晶体毛坯。 

【发明内容】

本发明的目的是探究一种简单、高效的方法，有效降低晶体生长过程的挥发，晶体稳定生长得到优质晶体毛坯。 

为降低挥发，本发明通过如下方式实现：采用碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％(摩尔百分比)，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入φ60坩埚，坩埚上面盖上一层环状白金片(见图1)，然后放入自制的熔盐炉中生长(见图2)。 

本发明优点在于通过设计温场，使得坩埚上面50mm以上温度比坩埚部分温度高，同时在坩埚上面加上环状白金盖片，有效降低挥发，晶体能够稳定生长，得到优质毛坯。因此该方法具有简单、高效特点。 

【附图说明】

图1是环状白金盖片示意图 

图2是自制熔盐炉结构示意图 

【具体实施方式】

实施例一：称取一定量的碳酸铯和硼酸为原料，其中铯过量5％(摩尔百分比)，于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解，装入φ60坩埚，坩埚上面盖上一层特制环状白金片，然后放入自制的熔盐炉中生长，生长结果原料挥发量减少显著，并且得到了较为优质的单晶 。