[发明专利]固体摄像器件及其制造方法、固体摄像元件制造方法、半导体器件有效
申请号: | 201010555268.3 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102110696A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 川岛宽之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 冯丽欣;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 元件 半导体器件 | ||
1.一种固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:
半导体基板,它被构造为包括固体摄像元件和切割线区域,所述固体摄像元件设有光电转换区域,并且所述切割线区域沿着所述固体摄像元件的周边设置;
布线层,它被形成为层叠在所述半导体基板上;
支撑基板,它被形成为层叠在所述布线层上;以及
凹槽,它在所述半导体基板中被设置在所述切割线区域中的刀片区域与所述固体摄像元件之间并且贯穿所述半导体基板。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述布线层包括保护环层,所述保护环层被设置在这样的区域中:所述区域与位于所述半导体基板的所述切割线区域中的所述刀片区域和所述固体摄像元件之间的区域对应。
3.如权利要求2所述的固体摄像器件,其中,所述保护环层设在与位于所述半导体基板的所述刀片区域和所述凹槽之间的区域对应的区域中。
4.如权利要求1、2和3中任一项所述的固体摄像器件,其中,所述凹槽的至少一部分填充有预定材料。
5.如权利要求1、2和3中任一项所述的固体摄像器件,其中,整个所述凹槽填充有预定材料。
6.一种制造固体摄像器件的方法,所述方法包括以下步骤:
在半导体基板中形成包括有光电转换区域的固体摄像元件;
在所述半导体基板中在切割线区域中的刀片区域与所述固体摄像元件的形成区域之间形成具有底部的凹槽;
在所述凹槽中填充预定材料;
在所述半导体基板的形成有填充了预定材料的所述凹槽一侧的表面上形成并层叠布线层;并且
从所述半导体基板的与面对所述布线层的表面相反的表面将所述半导体基板削薄,以便除去所述凹槽的底部。
7.一种制造固体摄像元件的方法,所述方法包括以下步骤:
在半导体基板中形成包括有光电转换区域的固体摄像元件;
在所述半导体基板中在切割线区域中的刀片区域与所述固体摄像元件的形成区域之间形成具有底部的凹槽;
在所述凹槽中填充预定材料;
在所述半导体基板的形成有填充了预定材料的所述凹槽一侧的表面上形成并层叠布线层;
从所述半导体基板的与面对所述布线层的表面相反的表面将所述半导体基板削薄,以便除去所述凹槽的底部;并且
在所述刀片区域处切割已削薄的所述半导体基板。
8.一种半导体器件,所述半导体器件包括:
第一半导体基板,它被构造为包括半导体芯片和切割线区域,所述切割线区域沿着所述半导体芯片的周边设置;
布线层,它被形成为层叠在所述第一半导体基板上;
第二半导体基板,它被形成为层叠在所述布线层上;以及
凹槽,它在所述第一半导体基板中被设置在所述切割线区域中的刀片区域与所述半导体芯片之间并且贯穿所述第一半导体基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的