[发明专利]晶体管及其制造方法、芯片及太阳能计算器无效
申请号: | 201010555732.9 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102479813A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 闻正锋;谭志辉 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;G06F15/02 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;任晓航 |
地址: | 100871 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 及其 制造 方法 芯片 太阳能 计算器 | ||
1.一种采用0.8微米工艺制造的金属氧化物半导体晶体管,包括半导体衬底,在半导体衬底表面上设有源极、漏极和栅极,其特征在于:所述栅极的栅氧厚度为125×(1±10%)埃。
2.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于:所述栅极的栅氧厚度为125埃。
3.一种芯片,包括采用0.8微米工艺制造的金属氧化物半导体晶体管,其特征在于:所述晶体管栅极的栅氧厚度为125×(1±10%)埃。
4.如权利要求3所述的芯片,其特征在于:所述栅极的栅氧厚度为125埃。
5.一种太阳能计算器,包括芯片,其特征在于:所述芯片内采用0.8微米工艺制造的金属氧化物半导体晶体管栅极的栅氧厚度为125×(1±10%)埃。
6.如权利要求5所述的太阳能计算器,其特征在于:所述栅极的栅氧厚度为125埃。
7.一种制造权利要求1所述晶体管的方法,包括如下步骤:定义N阱,P阱注入,定义有源区,场氧生长,栅氧生长,多晶硅生长,定义栅极,定义N型源漏,N型源漏注入,定义P型源漏,P型源漏注入;其特征在于:所述栅氧生长的厚度为125×(1±10%)埃。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于:所述栅氧生长的厚度为125埃。
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