[发明专利]一种低功耗宽带高增益高摆率单级运算跨导放大器无效

专利信息
申请号: 201010557194.7 申请日: 2010-11-24
公开(公告)号: CN102045035A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 吴金;马科;汤欣伟;郑雷 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 宽带 增益 高摆率单级 运算 放大器
【权利要求书】:

1.一种低功耗宽带高增益高摆率单级运算跨导放大器,其特征在于由恒定电流偏置依次串接差分输入级、负载电流镜传输输出级三部分构成,其中负载电流镜传输输出级由八个N型MOS管NM1至NM8构成,N型MOS管NM1的漏极分别接差分输入级的一个输出端和N型MOS管NM3、NM6、NM7的栅极,N型MOS管NM1的漏极分别接差分输入级的另一个输出端和N型MOS管NM4、NM5、NM8的栅极,N型MOS管NM1的源极分别接N型MOS管NM3、NM5的漏极,N型MOS管NM2的源极分别接N型MOS管NM4、NM6的漏极,N型MOS管NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8的源极分别连接接地,N型MOS管NM7漏极构成负载电流镜传输输出级的第一输出端,N型MOS管NM8漏极构成负载电流镜传输输出级的第二输出端。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗宽带高增益高摆率单级运算跨导放大器,其特征在于所述恒定电流偏置由P型MOS管PM0构成,P型MOS管PM0的漏极接电源Vdd,P型MOS管PM0的源极接差分输入级。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗宽带高增益高摆率单级运算跨导放大器,其特征在于所述差分输入级由两个P型MOS管PM1、PM2构成,P型MOS管PM1、PM2的漏极接恒定电流偏置的输出端,P型MOS管PM1、PM2的源极接负载电流镜传输输出级的输入端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010557194.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top