[发明专利]感应耦合等离子体处理装置有效
申请号: | 201010557565.1 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101974735A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 佐藤亮;齐藤均;山本浩司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;H01L21/306;H01L21/205;H01J37/32;H05H1/46 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;朱弋 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 耦合 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,包括:
收容被处理基板并实施等离子体处理的处理室;
在所述被处理室内载置所述被处理基板的载置台;
向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统;
对所述处理室内进行排气的排气系统;
隔着电介质部件配置在所述处理室的外部,通过供给高频电力,在所述处理室内形成具有各自不同的电场强度分布的感应电场,具有至少包括外侧天线和内侧天线的同心状的多个天线部的高频天线;
与所述多个天线部共通连接的高频电源;
检测通过所述感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的状态的等离子体检测单元;
与各所述天线部中的至少一个连接,并调节该被连接的天线部的阻抗的调节单元;和
根据所述等离子体检测单元的等离子体检测信息,控制所述调节单元,控制等离子体状态的控制单元。
2.一种感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,包括:
收容被处理基板并实施等离子体处理的处理室;
在所述被处理室内载置所述被处理基板的载置台;
向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统;
对所述处理室内进行排气的排气系统;
隔着电介质部件配置在所述处理室的外部,通过供给高频电力,在所述处理室内形成具有各自不同的电场强度分布的感应电场,具有多个天线部的高频天线;
与所述多个天线部共通连接的高频电源;
具有受光部和光检测部的等离子体检测单元,所述受光部接受通过所述感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体发出的光,所述光检测部对由所述受光部接受的来自所述发出的光的规定波长的检测光和具有所述检测光波长附近的波长的参照光进行检测;
与各所述天线部中的至少一个连接,并调节该被连接的天线部的阻抗的调节单元;和
根据所述等离子体检测单元的等离子体检测信息,控制所述调节单元,控制等离子体状态的控制单元。
3.如权利要求2所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,所述参照光的波长在所述检测光的波长的±10nm以内。
4.如权利要求3所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,将利用所述参照光的发光强度使所述检测光的发光强度标准化后的发光强度用作所述感应耦合等离子体的状态。
5.如权利要求2所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,所述高频天线具有至少包括外侧天线和内侧天线的同心状的多个天线部。
6.如权利要求1~5任一项所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,所述控制单元根据所述等离子体检测单元的检测信息,实时控制预先设定的调节参数,使得等离子体状态适当。
7.如权利要求1~5任一项所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,
所述控制单元在根据所述等离子体检测单元的等离子体检测信息控制所述调节单元之外,还根据所述等离子体检测单元的等离子体检测信息控制所述处理气体供给系统,控制等离子体状态。
8.如权利要求7所述的感应耦合等离子体处理装置,其特征在于,
所述等离子体检测单元与所述被处理基板的不同位置相对应地设置有多个,
所述控制单元控制所述调节单元,使得多个所述等离子体检测单元的检测信息为一定,使得等离子体处理特性在所述被处理基板的面内变得均匀,并根据所述多个等离子体单元的检测信息的任一个控制所述处理气体供给系统,控制等离子体处理特性。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的