[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 201010557695.5 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102478762A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/40;H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，该方法包括：
A、在晶片表面形成光阻胶PR，并对PR进行曝光、显影形成光刻图案后，向晶片表面喷洒六甲基二硅胺烷HMDS；
B、采用扫描电子显微镜SEM捕获光刻图案后进行调焦，直到视野中出现清晰的光刻图案后停止调焦；
C、采用去离子水DIW冲洗晶片表面；
D、量测SEM视野中的光刻图案的关键尺寸CD，如果CD达到预设要求，则结束流程；否则，去除光刻图案，然后重新返回执行步骤A。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C和步骤D之间，该方法进一步包括：
对晶片进行烘烤；
对晶片进行甩干。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述喷洒HMDS的方法为：采用气相涂盖方式向晶片表面喷洒HMDS。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述气相涂盖的压力为650百帕至1000百帕。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘烤为高压硬性烘烤。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述高压硬性烘烤时的压力为5千帕至10千帕。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述甩干时的转速为1000转每分钟至3000转每分钟。
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