[发明专利]一种仅采用低压MOS管实现的负电压电荷泵电源电路无效
| 申请号： | 201010558411.4 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102480223A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 鞠建宏;刘楠 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 金利琴 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 低压 mos 实现 电压 电荷 电源 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种仅采用低压晶体管实现的负电压电荷泵电源电路，其特征在于：包括一P型场效应晶体管、四个N型场效应晶体管和两个电容，其中各所述晶体管的栅极连有一电平移位模块；所述的P型场效应晶体管的源极与其自己的衬底相连后连接于电源输入端，且其漏极与第一N型场效应晶体管的漏极相连；所述第一N型场效应晶体管的源极与其衬底相连后连接地电位；所述第二、第三N型场效应晶体管的漏极都连接到地电位，且其源极与其各自的衬底相连后连于所述第四N型场效应晶体管的漏极；所述第四N型场效应晶体管的源极与其衬底相连后连接到电压输出端；所述第一电容的两端分别连接于P型场效应晶体管的漏极和所述第二、三N型场效应晶体管的源极；所述第二电容的两端分别连接到所述第四N型场效应晶体管的源极和地电位。
2.根据权利要求1所述的仅采用低压晶体管实现的负电压电荷泵电源电路，其特征在于：所述的各晶体管为低压管。
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