[发明专利]高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010558503.2 申请日: 2010-11-25
公开(公告)号: CN101994085A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 孙勇;郭中正;周铖;刘国涛 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/35;C22C45/00
代理公司: 昆明今威专利代理有限公司 53115 代理人: 赵云
地址: 650093 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高热 稳定性 金属 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜,其特征是:以铜为基体,将铜与难熔金属构成的非晶材料,该难熔金属为Nb,W或Mo中的一种或多种,且薄膜中难熔金属所占的原子百分比为23.4%~38.0%。

2.一种权利要求1所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:将铜与难熔金属Nb,W或Mo中的一种或多种制备成复合靶材,以复合靶材为溅射源,用离子束辅助的磁控共溅射法沉积铜-难熔金属非晶薄膜,并且控制薄膜中难熔金属所占的原子百分比为23.4%~38.0%。

3.按权利要求2所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:难熔金属Nb,W或Mo在复合靶材中的等效原子百分比为40~50%,磁控共溅射法沉积操作的功率密度6.0~9.5W·cm-2,工作氩气气压0.2~0.3Pa,衬底温度须低于30℃,沉积速率5.5~9.0nm·min-1

4.按权利要求3所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:在溅射沉积过程中采用Ar+离子束辅助轰击,离子束能量4~6KeV,离子束流密度11~18μA·cm-2,离子束入射角为30°。

5.按权利要求4所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:铜与难熔金属的复合靶材是将铜和难熔金属块材以物理结合方式构成;或者将铜和难熔金属粉体以粉末冶金方法制备成复合靶材。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010558503.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top