[发明专利]高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201010558503.2 | 申请日: | 2010-11-25 |
公开(公告)号: | CN101994085A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 孙勇;郭中正;周铖;刘国涛 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/35;C22C45/00 |
代理公司: | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人: | 赵云 |
地址: | 650093 云南省昆明*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高热 稳定性 金属 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜,其特征是:以铜为基体,将铜与难熔金属构成的非晶材料,该难熔金属为Nb,W或Mo中的一种或多种,且薄膜中难熔金属所占的原子百分比为23.4%~38.0%。
2.一种权利要求1所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:将铜与难熔金属Nb,W或Mo中的一种或多种制备成复合靶材,以复合靶材为溅射源,用离子束辅助的磁控共溅射法沉积铜-难熔金属非晶薄膜,并且控制薄膜中难熔金属所占的原子百分比为23.4%~38.0%。
3.按权利要求2所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:难熔金属Nb,W或Mo在复合靶材中的等效原子百分比为40~50%,磁控共溅射法沉积操作的功率密度6.0~9.5W·cm-2,工作氩气气压0.2~0.3Pa,衬底温度须低于30℃,沉积速率5.5~9.0nm·min-1。
4.按权利要求3所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:在溅射沉积过程中采用Ar+离子束辅助轰击,离子束能量4~6KeV,离子束流密度11~18μA·cm-2,离子束入射角为30°。
5.按权利要求4所述的高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜的制备方法,其特征在于:铜与难熔金属的复合靶材是将铜和难熔金属块材以物理结合方式构成;或者将铜和难熔金属粉体以粉末冶金方法制备成复合靶材。
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