[发明专利]一种用于多线切割后硅片的预冲洗方法无效
申请号: | 201010558957.X | 申请日: | 2010-11-25 |
公开(公告)号: | CN102163645A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 刘伟;邱昌盛;余明 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 徐关寿 |
地址: | 314117 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 切割 硅片 冲洗 方法 | ||
1.一种用于多线切割后硅片的预冲洗方法,其特征在于所述方法按如下步骤进行:
1)、有机冲洗剂经加压后,通过喷嘴喷射到硅片表面进行冲洗;
2)、待硅片表面大部分砂浆被冲洗掉后,将硅片浸渍到成分为有机冲洗剂的浸渍液中进行超声清洗,清洗时间为10分钟;
3)、超声清洗后的硅片采用风刀吹去表面残留的浸渍液;
4)、用少量的水清洗硅片表面。
2.根据权利要求1所述的预冲洗方法,其特征在于所述有机冲洗剂为水溶性有机溶剂。
3.根据权利要求2所述的预冲洗方法,其特征在于所述有机冲洗剂选自二甘醇、聚乙二醇、乙二醇中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述的预冲洗方法,其特征在于所述聚乙二醇是聚乙二醇200、聚乙二醇300、聚乙二醇400中的一种或其混合物。
5.根据权利要求1所述的预冲洗方法,其特征在于步骤3)中的风刀压力为0.1MPa~0.6MPa。
6.根据权利要求6所述的预冲洗方法,其特征在于步骤3)中的风刀压力为0.2MPa。
7.根据权利要求1所述的预冲洗方法,其特征在于步骤4)中水的清洗时间为5分钟~15分钟。
8.根据权利要求8所述的预冲洗方法,其特征在于步骤4)中水的清洗时间为10分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的