[发明专利]一种用于多线切割后硅片的预冲洗方法无效

专利信息
申请号: 201010558957.X 申请日: 2010-11-25
公开(公告)号: CN102163645A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 刘伟;邱昌盛;余明 申请(专利权)人: 浙江昱辉阳光能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C30B33/10
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 徐关寿
地址: 314117 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 切割 硅片 冲洗 方法
【权利要求书】:

1.一种用于多线切割后硅片的预冲洗方法,其特征在于所述方法按如下步骤进行:

1)、有机冲洗剂经加压后,通过喷嘴喷射到硅片表面进行冲洗;

2)、待硅片表面大部分砂浆被冲洗掉后,将硅片浸渍到成分为有机冲洗剂的浸渍液中进行超声清洗,清洗时间为10分钟;

3)、超声清洗后的硅片采用风刀吹去表面残留的浸渍液;

4)、用少量的水清洗硅片表面。

2.根据权利要求1所述的预冲洗方法,其特征在于所述有机冲洗剂为水溶性有机溶剂。

3.根据权利要求2所述的预冲洗方法,其特征在于所述有机冲洗剂选自二甘醇、聚乙二醇、乙二醇中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述的预冲洗方法,其特征在于所述聚乙二醇是聚乙二醇200、聚乙二醇300、聚乙二醇400中的一种或其混合物。

5.根据权利要求1所述的预冲洗方法,其特征在于步骤3)中的风刀压力为0.1MPa~0.6MPa。

6.根据权利要求6所述的预冲洗方法,其特征在于步骤3)中的风刀压力为0.2MPa。

7.根据权利要求1所述的预冲洗方法,其特征在于步骤4)中水的清洗时间为5分钟~15分钟。

8.根据权利要求8所述的预冲洗方法,其特征在于步骤4)中水的清洗时间为10分钟。

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