[发明专利]一种SOI光子晶体器件

权利要求书

1.一种SOI光子晶体器件，是以SOI为材料制作出的二维光子晶体器件，其特征是，所述光子晶体器件的制作方法为：

a)制作二维光子晶体的初始SOI材料；

b)在SOI顶层硅上涂光刻胶，进行前烘处理；

c)为在光刻胶上放置掩膜板；

d)通过曝光将掩膜板上的图样转移到光刻胶上；

e)进行显影操作；

f)再次后烘，对光刻胶进行固化坚膜如图；

g)采用反应离子束刻蚀去掉被曝光的顶层硅部分；

h)刻蚀埋氧层；

i)利用干法或者湿法去除光刻胶层，得到二维光子晶体器件。

2.根据权利要求1所述的一种SOI光子晶体器件，其特征是，所述SOI材料的顶层硅厚度为230nm，埋氧层厚度为400nm。

3.根据权利要求1所述的一种SOI光子晶体器件，其特征是，所述光刻胶的涂层厚度为1.1μm。

4.根据权利要求1所述的一种SOI光子晶体器件，其特征是，所述前烘处理的温度为110℃。

5.根据权利要求1所述的一种SOI光子晶体器件，其特征是，所述掩膜板的图样为圆孔阵列。

6.根据权利要求5所述的一种SOI光子晶体器件，其特征是，所述圆孔阵列的圆孔半径为140nm，周期为380nm。

7.根据权利要求1所述的一种SOI光子晶体器件，其特征是，所述顶层硅的刻蚀时间不超过1分钟。