[发明专利]一种基于SOI材料的还原性气体传感器无效
| 申请号： | 201010559514.2 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102478547A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 徐小科;何兵 | 申请（专利权）人： | 上海复莱信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;G01N29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 材料 原性 气体 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SOI材料的还原性气体传感器，包括IDT、压电基片与敏感薄膜，其特征是，所述压电基片由SOI制成，敏感薄膜由氧化锌制成。
2.根据权利要求1所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述IDT是在压电基片上光刻图形后，溅射金属铝制成。
3.根据权利要求1所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述氧化锌敏感薄膜是在压电基片上，通过sol-gel法制得。
4.根据权利要求1所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述SOI压电基片内通过离子注入的方法掺杂了适量的硼以调节其谐振电导率。
5.根据权利要求1所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述氧化锌敏感薄膜上有催化层。
6.根据权利要求5所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述催化层的催化材料为贵金属铂或金。
7.根据权利要求5所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述催化层的厚度小于10纳米。
8.根据权利要求1所述的一种基于SOI材料的还原性气体传感器，其特征是，所述氧化锌敏感薄膜的厚度小于1微米。
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