[发明专利]双层相变电阻以及相变存储器的形成方法无效
| 申请号： | 201010560429.8 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479922A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李凡;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双层 相变 电阻 以及 存储器 形成 方法 | ||
1.一种双层相变电阻的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有第一层相变电阻；
在所述第一层相变电阻上形成具有第一开口的第一介质层，所述第一开口暴露出所述第一层相变电阻；
在所述第一开口的侧壁形成相变电阻，且所述相变电阻围成第二开口；
在所述第二开口内填充第二介质层；
形成第二层相变电阻，所述第二层相变电阻覆盖所述第一介质层、所述相变电阻以及第二介质层。
2.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，所述第一开口的特征尺寸为40nm～50nm。
3.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，所述第一开口侧壁的相变电阻的厚度小于150埃。
4.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，在所述第一开口的侧壁形成相变电阻包括：
利用磁控溅射方法形成相变电阻，覆盖所述第一介质层的表面以及第一开口的侧壁；
去除所述第一介质层表面的相变电阻。
5.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，所述在所述第一层相变电阻上形成具有第一开口的第一介质层包括：
在所述第一层相变电阻上形成第一介质层；
光刻、刻蚀所述第一介质层形成第一开口。
6.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，所述在所述第一开口的侧壁形成相变电阻包括：
形成相变电阻，覆盖所述第一介质层的表面以及第一开口的侧壁；
去除所述第一介质层表面的相变电阻。
7.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，在所述第二开口内形成第二介质层包括：
形成第二介质层，覆盖所述第一介质层、相变电阻的表面且填充所述第二开口；
去除所述第一介质层、相变电阻表面的第二介质层。
8.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，所述形成第二层相变电阻的方法为磁控溅射。
9.如权利要求1所述的双层相变电阻的形成方法，其特征在于，所述第一层相变电阻、相变电阻和第二层相变电阻的材料为锗-锑-碲。
10.一种相变存储器的形成方法，包括形成双层相变电阻，其特征在于，所述双层相变电阻的形成方法为权利要求1～9任一项所述的方法。
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