[发明专利]制造具有最小应力的异质结构的方法

权利要求书

1.一种制造异质结构的方法，包括将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)的步骤，其中第一晶片(110)的热膨胀系数低于第二晶片(120)的热膨胀系数，以及至少一个键合增强退火步骤，其特征在于，所述方法包括：在键合步骤之后以及所述至少一个键合增强退火步骤之前的，至少部分地修整第一晶片(110)的至少一个修整步骤。

2.根据权利要求1所述的制造异质结构的方法，其特征在于，所述至少一个修整步骤之后，第一晶片(110)在其修整部分(1110)中的厚度小于或等于55μm。

3.根据权利要求1或2所述的制造异质结构的方法，其特征在于，在大约160℃的温度下执行所述至少一个键合增强退火步骤大约2小时的时间。

4.根据权利要求1所述的制造异质结构的方法，其特征在于，所述方法包括第一键合增强退火步骤和第二键合增强退火步骤以及至少部分地修整第一晶片的第一修整步骤和第二修整步骤，并且第一修整步骤在所述第一退火步骤之后和所述第二退火步骤之前执行，而第二修整步骤在所述第二退火步骤之后执行。

5.根据权利要求4所述的制造异质结构的方法，其特征在于，在高于第一键合增强退火步骤的温度下执行第二键合增强退火步骤。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，第一晶片(110)是硅或SOI衬底。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，第二晶片(120)是蓝宝石衬底。

8.根据权利要求7所述的制造异质结构的方法，其特征在于，所述方法进一步包括一个或多个键合增强退火步骤之后的减薄第一晶片(110)的步骤，其中通过研磨然后通过刻蚀第一晶片来执行所述减薄。

9.根据权利要求8所述的制造异质结构的方法，其特征在于，利用轮执行研磨，轮的工作表面包括平均尺寸大于6.7微米的磨粒。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，在一个或多个键合增强退火过程中，异质结构的片内温度低于80℃。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，在一个或多个键合增强退火过程中，温度的斜线上升为大约1℃/分钟。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，所述方法包括在键合两个晶片(110，120)之前在第一晶片(110)的键合表面上形成氧化物层(114)。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，所述方法包括在键合两个晶片(110，120)之前的激活两个晶片的至少其中之一的键合表面的步骤。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的制造异质结构的方法，其特征在于，在研磨过程中，第一晶片上的轮的接触力不大于222.5牛顿。