[发明专利]一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201010561021.2 | 申请日： | 2010-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102115878A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘键;饶志鹏;夏洋;石莎莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| 主分类号： | C23C16/36 | 分类号： | C23C16/36;C30B25/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 立方 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；
向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附；
所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；
所述卤代反应停止后，再通入氨气继续进行胺化反应，所述碳碘键中的碘原子被氨气中的氮原子取代；
所述胺化反应结束后，硅衬底表面所形成的物质即为单晶立方型氮化碳薄膜。
2.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述硅衬底预先进行氢化处理，使衬底表面形成硅氢键，所述氢化处理的条件为：在50℃-1000℃等离子体条件下，通入氢气1分钟-60分钟。
3.如权利要求2所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述氢化处理的条件为：在200℃-500℃等离子体条件下，通入氢气5分钟-20分钟。
4.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述重氮甲烷的通入时间为2分钟-60分钟。
5.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述重氮甲烷在硅衬底表面进行化学吸附的条件是光照，所述光照的光源为波长为270nm-350nm的紫外光。
6.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述气态碘单质的通入时间为2分钟-60分钟。
7.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述卤代反应是在光照条件下进行的，所述光照的光源为高压汞灯，波长为350nm-450nm。
8.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述氨气的浓度为99.5％-99.99％，通入时间为30秒-60分钟。
9.如权利要求1所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述原子层沉积设备反应腔在通入重氮甲烷或气态碘单质的前后均通入惰性气体。
10.如权利要求9所述的单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为氮气、氩气或氦气，浓度为99.99％，通入时间为5分钟-20分钟。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
