[发明专利]基板处理装置及其清洁方法

权利要求书

1.一种基板处理装置的清洁方法，对基板处理装置的处理室内进行清洁，该处理室构成为能够减压，在该处理室内相对置地配置有上部电极和下部电极并且具备设置有上述下部电极的基板载置台，该基板处理装置的清洁方法的特征在于，

在规定处理条件下清洁上述处理室内时，按照根据上述下部电极的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O₂气体和惰性气体的处理气体提供给上述处理室内，对上述上部电极和上述下部电极之间施加高频电力来产生等离子体，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O₂气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置的清洁方法，其特征在于，

上述惰性气体为Ar气体，

在上述自偏压的绝对值为50V以下的处理条件下进行清洁的情况下，以上述O₂气体的流量比为上述处理气体整体的8％以上且小于33％的方式设定上述O₂气体和上述Ar气体的流量比。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置的清洁方法，其特征在于，

在上述自偏压的绝对值为大于50V且小于160V的处理条件下进行清洁的情况下，以上述O₂气体的流量比为上述处理气体整体的33％以上且小于100％的方式设定上述O₂气体和上述Ar气体的流量比。

4.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置设置有以下部分：

处理室，其构成为能够减压；

上部电极和下部电极，该上部电极和下部电极相对置地配置于上述处理室内；

基板载置台，其设置有上述下部电极；

电力供给装置，其将规定的高频电力提供给上述上部电极和上述下部电极之间；

气体供给部，其将O₂气体和惰性气体作为清洁用的处理气体提供给上述处理室内；

排气部，其对上述处理室内进行排气来将上述处理室内减压到规定压力；

存储部，其对在规定处理条件下清洁上述处理室内时的上述处理气体的流量比进行存储，该处理气体的流量比是根据上述下部电极的自偏压以如下方式设定的，该方式为：上述下部电极的自偏压的绝对值越小，上述O₂气体的流量比越小，而惰性气体的流量比越大；以及

控制部，其在清洁上述处理室内时，从上述存储部读取与上述自偏压对应的流量比，按照该流量比使上述气体供给部提供上述O₂气体和上述惰性气体，使上述电力供给装置对上述上部电极和上述下部电极之间施加规定的高频电力来产生等离子体。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

上述惰性气体为Ar气体，

在上述自偏压的绝对值为50V以下的处理条件下进行清洁的情况下，将上述O₂气体的流量比为上述处理气体整体的8％以上且小于33％的上述O₂气体和上述Ar气体的流量比存储到上述存储部。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述自偏压的绝对值为大于50V且小于160V的处理条件下进行清洁的情况下，将上述O₂气体的流量比为上述处理气体整体的33％以上且小于100％的上述O₂气体和上述Ar气体的流量比存储到上述存储部。