[发明专利]量子点分子发光器件

权利要求书

1.一种量子点分子发光器件，其特征是一种量子点分子为有源区结构的发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。

2.根据权利要求1所述的量子点分子发光器件，其特征是每个量子点分子所包含的量子点个数为两个或两个以上，量子点之间为侧向耦合，即耦合方向在与生长方向垂直的平面内。

3.根据权利要求1所述的量子点分子发光器件，其特征是量子点分子的生长方式采用合理调整生长参数的自组装生长法、在线刻蚀法、液滴外延法和生长超晶格应力调制层法中的任何一种或者多种方法结合得到。

4.根据权利要求1所述的量子点分子发光器件，其特征是该量子点分子有源区的量子点分子材料为铟砷、铟镓砷、镓磷或铟镓磷III-V族化合物。

5.根据权利要求1所述的量子点分子发光器件，其特征是量子点分子有源区的量子点分子顶部依次设有应力缓冲层和隔层，该应力缓冲层材料包括铟镓砷、镓砷锑、铝镓砷、铟镓砷氮；该隔层由单层材料或者多层材料组合制成，所述材料包括镓砷、铟镓砷、镓磷、镓砷锑、镓锑、铝镓砷、铟镓磷或铝铟镓砷。

6.根据权利要求1所述的量子点分子发光器件，其特征是所述镓砷衬底材料为镓砷、铟磷或镓磷，其掺杂类型是n型或者p型掺杂。

7.权利要求1至7中任一权利要求所述量子点分子发光器件的制备方法，其特征是该量子点分子发光器件采用金属有机化合物气相沉积、分子束外延、原子层外延、化学束外延中的一种或者多种外延生长方法结合得到。

8.根据权利要求7所述量子点分子发光器件的制备方法，其特征是该量子点分子发光器件为超辐射发光管、半导体激光器、半导体发光二极管或半导体光放大器。