[发明专利]宽带多模光纤及其制造方法

权利要求书

1.宽带多模光纤，包括纤芯和包覆在纤芯外圆周表面上的包层，其特征在于所述纤芯的折射率剖面呈抛物线状渐变分布，相对折射率差Δ1为0.85％～1.1％；所述包层为下陷包层，相对折射率差Δ2为-0.15％～-0.25％；所述芯层在光纤850nm波长带宽的差分模时延测试曲线为连续下降的曲线。

2.如权利要求1所述的宽带多模光纤，其特征在于该宽带多模光纤满注入带宽在850nm和1300nm时分别大于3500MHz·km和500MHz·km，850nm有效带宽大于4700MHz·km。

3.如权利要求1所述的宽带多模光纤的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

A10、采用PCVD沉积工艺技术制造出光纤预制棒芯棒样品备用；

A20、采用PCVD沉积工艺技术制造光纤预制棒芯棒，其中纤芯的沉积过程分成多段进行，在沉积纤芯的过程中，SiCl₄的流量为5.6g/min到4.7g/min，锗蒸汽GeCl₄流量为0.1g/min到1.3g/min，C₂F₆的流量为0.5sccm到1.5sccm，并且在每一段的沉积过程中，根据光纤预制棒芯棒样品的折射率剖面分布曲线与理论折射率剖面分布曲线之间的偏差，调整GeCl₄以及C₂F₆的流量以精确修正光纤预制棒芯棒的折射率剖面分布与理论折射率分布之间的偏差；

A30、将光纤预制棒芯棒装入石英套管中，融熔、拉丝成宽带多模光纤，融缩时控制空心光纤预制棒芯棒内高纯氧气的压力波动范围在±1.5％，在融缩至孔径直径为3～6mm时，通入C₂F₆气体进行2～5次内壁腐蚀，流量为80sccm～120sccm，每次腐蚀时间为10～15分钟。

4.如权利要求3所述的宽带多模光纤的制造方法，其特征在于对步骤A30获得到的光纤进行DMD测量，并根据DMD测量响应与标准曲线之间的偏差在下一批次的制造过程中对步骤A20中GeCl₄的补偿量进行优化调整，直至所测DMD测量响应在可接受的规定值内。

5.如权利要求3所述的宽带多模光纤制造方法，其特征在于，步骤A30中，拉丝过程中周期性地搓动光纤，搓动频率为0.2～5次/s。

6.如权利要求3、4或5所述的宽带多模光纤的制造方法，其特征在于根据SiCl₄和GeCl₄的流量自动调整O₂流量，O₂流量与SiCl₄和GeCl₄的总流量之比为2.3～3.0。

7.如权利要求6所述的宽带多模光纤的制造方法，其特征在于纤芯沉积的段数为30～60。

8.如权利要求7所述的宽带多模光纤的制造方法，其特征在于多段沉积过程中SiCl₄和GeCl₄的流量分别呈线性变化。