[发明专利]一种高居里点低铅压电陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高居里点低铅压电陶瓷材料，其化学式为Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-PbTiO₃。

2.制备如权利要求1所述的高居里点低铅压电陶瓷材料的方法，该方法是采用模板晶粒生长法，以片状钙钛矿结构的SrTiO₃作为模板材料，综合利用晶粒定向技术、流延成型和冷等静压工艺方法，具体方法如下：

(1)采用熔盐法合成片状SrTiO₃晶体，主要由两个步骤来完成，首先在1150℃，助熔剂KCl/NaCl混合熔盐中合成片状前驱体Sr₃Ti₂O₇，然后再通过SrTiO₃生长基元，在第一步获得的片状晶体Sr₃Ti₂O₇上进行生长制备出片状的SrTiO₃晶体；

(2)取500-800g的Bi₂O₃、TiO₂、ZnO、PbO，按Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃-PbTiO₃的比例混合在一起进行预烧，比例为1∶3∶1∶2；

(3)将制好的SrTiO₃模板和BZT-PT粉体作为配制流延浆料的粉体，加入溶剂、分散剂、粘结剂和塑性剂，配制好的浆料经过流延、干燥之后得到素坯，将流延素坯进行裁切、叠层、冷等静压并排塑之后进行烧结得到压电陶瓷材料。

3.如权利要求2所述的制备高居里点低铅压电陶瓷材料的方法，所述溶剂选用乙醇或乙醇和丁酮混合溶剂；分散剂选用三油酸甘油酯；粘结剂选用聚乙烯缩丁醛；塑性剂选用邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇混合液。