[发明专利]双大马士革结构的形成方法

权利要求书

1.一种双大马士革结构的形成方法，该方法包括：

提供一基底，在基底上依次形成第一介质层、第二介质层和保护层；

对第一介质层、第二介质层和保护层进行刻蚀，第一介质层、第二介质层和保护层的开口宽度为预设的通孔的开口宽度；

对保护层进行刻蚀，保护层的开口宽度为预设的沟槽的开口宽度，所述沟槽的开口宽度大于所述通孔的开口宽度；

沉积第一扩散阻挡层并进行反溅射处理；

以保护层和保护层侧表面的第一扩散阻挡层为掩膜对第二介质层进行刻蚀；

沉积第二扩散阻挡层和铜籽晶层；

采用电化学镀ECP工艺生长金属铜后，并采用化学机械研磨CMP工艺将金属铜、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层、铜籽晶层和保护层抛光至第二介质层的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在基底和第一介质层之间还进一步形成有：介质阻挡层；

在保护层之上还进一步依次形成有：第一硬掩膜层和第二硬掩膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对第一介质层、第二介质层和保护层进行刻蚀的方法包括：

在第二硬掩膜层之上形成第一光刻图案，第一光刻图案的开口为预设的沟槽的开口宽度；

按照第一光刻图案对第二硬掩膜层进行刻蚀，并去除第一光刻图案；

形成第二光刻图案，第二光刻图案的开口为预设的通孔的开口宽度；

按照第二光刻图案对第二介质层、保护层和第一硬掩膜层进刻蚀，并去除第二光刻图案；

以第二介质层为掩膜对第一介质层进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对保护层进行刻蚀的方法包括：

以第二硬掩膜层为掩膜依次对保护层和第一硬掩膜层刻蚀；

将第二硬掩膜层去除。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反溅射处理的方法为：采用氩离子Ar⁺进行反溅射处理。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：采用CMP工艺将第一硬掩膜层抛光至第二介质层的表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的介电常数为2至2.3，所述第二介质层的介电常数为2至2.3。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为碳氧化硅SiOC，所述第二介质层为氩化磷PAr；

所述保护层为二氧化硅SiO₂或SiOC；

所述第一硬掩膜层为碳化钛TiN；

所述第二硬掩膜层为SiO₂或氮化硅SiN；

所述介质阻挡层为碳化硅SiC氮碳化硅SiCN。